集束電極一体型電界放出素子及びその作製方法

開放特許情報番号
L2009000149
開放特許情報登録日
2009/1/9
最新更新日
2015/9/25

基本情報

出願番号 特願2008-218897
出願日 2008/8/28
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-055907
公開日 2010/3/11
登録番号 特許第5062761号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 集束電極一体型電界放出素子及びその作製方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 集束電極一体型電界放出素子
目的 現実的に作製可能な構造原理をもってエミッタから放出される電子ビームを十分に集束する機能を呈することができる集束電極一体型電界放出素子を提供する。
効果 現実的に作製可能な構造原理を持つ素子として、取り出す電子電流量を低下させることなく、エミッタから放出される電子ビームを十分に集束し得る機能を呈することができる。電位の与え方の自由度も大幅に向上し、電界分布制御に自由度と確度がえられる。
技術概要
基板10上に、先端11tpが先鋭な電子放出端となっているエミッタ11と、エミッタ先端11tpを露呈する開口を有する絶縁膜12と、この絶縁膜12上に形成され、エミッタ先端11tpを露呈する開口を有する引き出しゲート電極13を形成し、引き出しゲート電極13上には集束電極積層構造20を形成する。集束電極積層構造20は、一層の絶縁膜25、26、27、28と、その上に形成された一層の集束電極21、22、23、24とを単位積層段として、この単位積層段を基板10の鉛直方向に沿って少なくとも四段積層して構成される。最下段に位置する単位積層段の絶縁膜25は引き出しゲート電極13の上に形成されていると共に、全ての単位積層段の絶縁膜25、26、27、28及び集束電極21、22、23、24には、エミッタ先端11tpを露呈する開口を開ける。積層集束電極構造において最下段の単位積層段から上段の単位積層段に行く程、各単位積層段の絶縁膜及び集束電極に開けられている開口は大径となっている。各単位積層段の絶縁膜の上記開口の内周縁は、同じ単位積層段に属する集束電極の上記開口の内周縁よりも半径方向外方に後退している。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 上段に行く程、開口内周縁に形状的ながたつきの出易い集束電極開口の径を大きくしているので、径に対するがたつきの比は小さくすることができ、これによって電界の乱れを抑えることができる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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