光デバイスの製造方法

開放特許情報番号
L2009000148
開放特許情報登録日
2009/1/9
最新更新日
2010/4/2

基本情報

出願番号 特願2008-218206
出願日 2008/8/27
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-054695
公開日 2010/3/11
発明の名称 光デバイスの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 光デバイス
目的 結晶成長技術以外の方法を用いて、量子ドット集合体のスペクトル幅の狭帯化を実現できるようにする。
効果 結晶成長技術以外の方法により、量子ドット集合体のスペクトル幅の狭帯化が可能となる。また、従来の高速熱アニール処理を用いた方法と異なり、量子ドット集合体の動作波長を維持したまま、スペクトル幅の狭帯化が可能となる。結晶成長技術以外の方法により、量子ドット集合体を用いた光デバイスの高効率化、低消費電力化が実現可能となる。
技術概要
量子ドット集合体を有する第1の基板を用意する。第1の基板とウエハ接合を行うための第2の基板を用意する。第1及び第2の基板の少なくとも一方の基板上面にSOD(低屈折率絶縁性材料の原料を含有する溶液)を塗布する。第1の基板の量子ドット集合体が形成された側と第2の基板とを接合して、接合した基板を加熱する。次に第1の基板の薄膜化を行う光デバイスの製造方法である。第1の基板、SOD、第2の基板の少なくとも一つが、他と異なる熱膨張係数をもつ。第1の基板は、化合物半導体基板であり、GaAs基板又はInP基板であることが好ましい。第2の基板は、Si基板又はSOI基板である。SODは、SOGである。SODは、有機ポリマーである。SODは、DVS−BCB(ジビニルシロキサン・ビス・ベンゾシクロブテン)である。量子ドット集合体は、InAs量子ドットである。接合した基板を加熱する加熱温度は300℃以下である。第1の基板の薄膜化を行う工程において、第1の基板の厚さを10μm以下とする。図は、第1の基板の基板剥離の一例である。これにより、ウエハ接合により生じる残留応力の影響を、量子ドット集合体に効果的に付加することが可能となる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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