絶縁膜の形成方法及び絶縁膜

開放特許情報番号
L2009000126
開放特許情報登録日
2009/1/9
最新更新日
2015/9/25

基本情報

出願番号 特願2008-207891
出願日 2008/8/12
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-239246
公開日 2009/10/15
登録番号 特許第5177660号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 絶縁膜の形成方法
技術分野 電気・電子、無機材料、その他
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、その他
適用製品 半導体装置
目的 この発明は、シリコンの表面に絶縁性が良好で、かつ酸化膜換算膜厚のきわめて薄い絶縁膜を作成する方法を提供する。
効果 この発明によれば、水素終端による撥水性シリコン表面から水素原子を離脱させ、親水化した後、絶縁膜を堆積する方法が用いられる。そのため、酸化膜換算膜厚を増加させることなく絶縁性の良好な絶縁膜を形成することができる。
技術概要
半導体集積回路の高密度化、高速度化のため、トランジスタのゲート絶縁膜の薄膜化と高絶縁化が期待されている。しかし、シリコン表面に二酸化シリコンの薄膜を形成する場合、薄膜化すると膜の絶縁性が低下するという問題を有していた。 この発明は、シリコン表面から水素原子を離脱させ、親水化した後、原子層堆積法(ALD:Atomoic Layer Deposition)等により絶縁膜を形成するものである。 具体的には、P型シリコンウェハの表面をHF処理し犠牲膜剥離を行い、撥水化させる。700℃、窒素ガス1torrの雰囲気中で急速加熱処理(RTA;Rapid Thermal Annealing)し、水素脱離する。H↓2O暴露を行い表面にOHを吸着させ、P型シリコンウェハ表面を親水化させる。ALDによりHfO↓2膜を堆積させる。700℃、窒素ガス1toorの雰囲気中でPDA(Post Deposition Annealing)を行う。この上にNiSiゲート電極を形成する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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