ダイヤモンド半導体素子

開放特許情報番号
L2009000099
開放特許情報登録日
2009/1/9
最新更新日
2015/9/25

基本情報

出願番号 特願2008-191263
出願日 2008/7/24
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-028052
公開日 2010/2/4
登録番号 特許第5119553号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ダイヤモンド半導体素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 p型ダイヤモンド半導体層、n型ダイヤモンド半導体層、整流特性を有するダイヤモンド半導体素子
目的 pn接合において整流性を保った状態で高出力化が図れるダイヤモンド半導体素子の提供。
効果 pn接合の整流性を保ちながら、ダイヤモンド半導体素子の低抵抗化が図れる。また、このダイヤモンド半導体素子は、低抵抗であり、かつ高い電界強度を有していることから、高出力を可能とするダイヤモンド半導体素子が提供できる。
技術概要
この技術のダイヤモンド半導体素子は、ダイヤモンド半導体層からなり、p型のα層とn型のβ層とを接触させて配されたダイヤモンド半導体素子であって、α層及びβ層における電流の伝導機構が、何れも300Kの温度においてホッピング伝導であり、α層とβ層とを貫通する方向に電流を流した際に、電流−電圧の出力特性が整流性を示す。このダイヤモンド半導体素子は、ダイヤモンド半導体層からなるため、バンドギャップが、Siの1.1eVであるのに比べ5.5eVという非常に大きな値を有する。このダイヤモンド半導体素子にあっては、不純物準位が伝導体あるいは価電子帯から深い準位にあるため、有効密度以上に不純物を半導体層に添加しても、キャリアは伝導体及び価電子帯ではなく、不純物の作るサイト間をホッピング伝導する。特に、ホッピング伝導をする層同士が結合したpn接合を貫通してキャリアが伝導される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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