二重絶縁ゲート電界効果トランジスタおよびその製造方法

開放特許情報番号
L2009000083
開放特許情報登録日
2009/1/9
最新更新日
2015/9/25

基本情報

出願番号 特願2008-179008
出願日 2008/7/9
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-021255
公開日 2010/1/28
登録番号 特許第5327782号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 二重絶縁ゲート電界効果トランジスタおよびその製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信、その他
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 電界効果トランジスタ、半導体素子
目的 この発明は、二重絶縁ゲート電界効果トランジスタを、オフ状態でドレイン漏れ電流の増加を制御でき、オン電流の低下を小さくできる素子を提供する。
効果 この発明の二重絶縁ゲート電界効果トランジスタは、絶縁ゲートのソース側およびドレイン側のゲート酸化膜を厚くすることによってゲート電極端での半導体領域表面部分の電界を弱め、バンド間のトンネル電流によるキャリヤの増加を弱め、その結果オフ電流増加を制御することができる。また、この発明の製造方法によると、ゲート領域、チャネル領域、ドレイン領域、ソース領域を基板に溝を設けて島状領域として形成することにより、側壁にゲート絶縁膜を容易に精度良く形成することができる。
技術概要
従来の二重ゲート電界効果トランジスタは、短チャネル効果を防止するものとして開発されてきた。しかし、この構造によるとトランジスタがオフ動作の時にオフ電流(ドレイン漏れ電流)の増大が顕在することが問題となっていた。 この発明の二重ゲート電界効果トランジスタは、ソース領域とドレイン領域の間に挟まれ、低濃度不純物が導入されたチャネル領域があり、その長さはLCである。チャネル領域は第1ゲード絶縁膜を介して第1ゲート電極に面し、また第2ゲート絶縁膜を介して第2ゲートに面し、第1ゲート電極と第2ゲート電極によりチャネル領域が挟まれた二重絶縁ゲート電界効果トランジスタが構成されている。この発明の二重ゲート電界効果トランジスタの特徴は、断面構造が示す様に第1及び第2ゲートの絶縁膜が、チャネル領域のソ−ス、ドレイン間の中央部に対向する領域の厚みが薄く、両側のソース領域側のゲート電極端部からチャネル領域側およびドレイン領域側のゲート電極端部からチャネル領域側において対向する厚みがチャネル領域の中央部に比べて厚くなる様に形成されている。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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