| 出願番号 |
特願2007-091718 |
| 出願日 |
2007/3/30 |
| 出願人 |
国立大学法人宇都宮大学 |
| 公開番号 |
特開2008-247817 |
| 公開日 |
2008/10/16 |
| 登録番号 |
特許第5044788号 |
| 特許権者 |
国立大学法人宇都宮大学 |
| 発明の名称 |
トランス体のエチレン誘導体の製造方法 |
| 技術分野 |
有機材料、無機材料、金属材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造、環境・リサイクル対策 |
| 適用製品 |
簡便な操作で得られ、化学原料等として広く利用される。 |
| 目的 |
簡便、高速、経済性が高く、環境に対する負荷も小さく、さらに工業的に採用しやすい、トランス体のエチレン誘導体の製造方法を提供する。 |
| 効果 |
反応時に触媒や溶媒等の他の成分を必要としないために得られるエチレン誘導体の純度を高くしやすくなる。さらに、反応後の生成物と触媒・溶媒との分離工程も省略できるので経済的にも有利なものとなる。 |
技術概要
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式（１）［Ｒ↑１及びＲ↑２は炭素数１〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数３〜１８の環状アルキル基、炭素数２〜１８の直鎖又は分岐のアルケニル基、複素環基、炭素数６〜１８のアリール基等］で表されるシス体のエチレン誘導体を、不活性雰囲気又は超臨界二酸化炭素雰囲気下で、５０℃以上、３００℃以下の温度で保持するシス−トランス異性化反応することにより、トランス体のエチレン誘導体を製造する。尚、反応器１と、反応器１に二酸化炭素を供給する供給装置２と、反応器内部の温度と圧力とを制御して反応器内部を超臨界二酸化炭素雰囲気に制御する制御部を有する制御装置３と、を有するトランス体のエチレン誘導体の製造装置を構成する。更に、反応器内に攪拌装置が設けられる。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
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