水素製造装置及び水素製造方法

開放特許情報番号
L2009000033
開放特許情報登録日
2009/1/9
最新更新日
2009/1/9

基本情報

出願番号 特願2006-344674
出願日 2006/12/21
出願人 株式会社ジャスト東海
公開番号 特開2008-156679
公開日 2008/7/10
発明の名称 水素製造装置及び水素製造方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 機械・部品の製造
適用製品 水素製造装置
目的 通常の水の電気分解反応の反応効率よりも飛躍的に大きな反応効率を達成して、高エネルギー転換効率を実現するとともに、定量的な水素の安定供給が可能な定量性や制御性に優れる水素製造装置及び水素製造方法を提供する。
効果 電圧印加の有無や電圧の大きさ等を調整することによって水素の生成速度を安定化させることができ、定量的な水素の安定供給が可能であり定量性や制御性に優れた水素製造装置を提供できる。また、陰極において発生したOHイオンを直ちにSiと反応させることができるので、反応効率を高めることができる水素製造装置を提供できる。また、陽イオン交換膜を透過できないOHイオンを集めてSiとの反応を活発化させることができ、反応効率を高めることができる水素製造装置を提供できる。
技術概要
図1は水素製造装置の模式図である。水素製造装置1は、水、電解質水溶液、水蒸気のいずれか1種が供給される電解槽2と、電解槽2に配設された陽極7及び陰極6と、陰極6の近傍に配設された又は陰極6の一部若しくは全部に接して配設されたケイ素体と、を備える。陰極6はケイ素で形成されているか、陰極6の一部若しくは全部にケイ素体が接した状態で配設されている。なお、陰極6の一部若しくは全部にケイ素体を接して配設する手段としては、陰極6の表面にケイ素粉末を溶射する手段、陰極6の表面にプラズマCVD等によってケイ素を堆積させる手段、陰極6の表面に半導体素子材料の製造過程で得られる廃棄ケイ素等の塊状乃至は粒状等のケイ素体を圧着や繋着等によって機械的に接触させる手段等が用いられる。陰極室側供給路9、陽極室側供給路10が電解槽2に接続されているが、陰極室4と陽極室5が連通しているため、陰極室4又は陽極室5のいずれかに供給された水等は他方の陰極室4又は陽極室5に移動するので、陰極室側供給路9又は陽極室側供給路10のいずれかが電解槽2に接続されていればよい。図2、3は水素製造装置の他の例である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 株式会社ジャストン

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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