半導体発光素子、半導体発光素子実装体及び半導体発光素子の製造方法

開放特許情報番号
L2008005906
開放特許情報登録日
2008/12/5
最新更新日
2012/8/20

基本情報

出願番号 特願2005-247902
出願日 2005/8/29
出願人 国立大学法人静岡大学
公開番号 特開2007-066986
公開日 2007/3/15
登録番号 特許第5034035号
特許権者 国立大学法人静岡大学
発明の名称 半導体発光素子の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体発光素子、半導体発光素子実装体
目的 ZnO系化合物半導体混晶の結晶成長を可能とし、これにより、室温で紫外〜可視域の広範囲での発光が可能で、熱的に安定でしかも資源的枯渇のおそれの少ない半導体発光素子、半導体発光素子実装体及び半導体発光素子の製造方法の提供。
効果 室温で紫外〜可視域の広範囲での発光が可能で、熱的に安定でしかも資源的枯渇のおそれの少ない半導体発光素子、半導体発光素子実装体及び半導体発光素子の製造方法を提供できる。
技術概要
この技術では、半導体発光素子は、六方晶系SiC単結晶からなるクラッド層と、ウルツ鉱構造で、室温における禁制帯幅1.8eV以上、3.1eV未満のZnO系化合物半導体混晶からなり、クラッド層とヘテロ接合をなす発光層とを備える半導体発光素子であるものとする。また、六方晶系の単結晶からなる基板と、室温における禁制帯幅2.8eV以上の六方晶系単結晶薄膜からなり、基板上に配置したp型クラッド層と、ウルツ鉱構造で、室温における禁制帯幅1.8eV以上、3.1eV未満のZnO系化合物半導体混晶からなり、p型クラッド層とヘテロ接合をなす発光層とを備える半導体発光素子であるとしてもよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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