半導体素子及び固体撮像装置

開放特許情報番号
L2008005881
開放特許情報登録日
2008/12/5
最新更新日
2011/4/22

基本情報

出願番号 特願2006-287005
出願日 2006/10/20
出願人 国立大学法人静岡大学
公開番号 特開2008-103647
公開日 2008/5/1
登録番号 特許第4710017号
特許権者 国立大学法人静岡大学
発明の名称 CMOSイメージセンサ
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 CMOSイメージセンサ、ローリングシャッタ動作、全画素同時電子シャッタ機能
目的 低コストで製造可能で、信号電荷の完全転送を実現可能な半導体素子を提供し、更にはこの半導体素子を画素として複数個配列して、高い空間解像度を有する固体撮像装置の提供。
効果 本技術によれば、低コストで製造可能で、信号電荷の完全転送を実現可能な半導体素子を提供し、更にはこの半導体素子を画素として複数個配列して、高い空間解像度を有する固体撮像装置を実現できる。
技術概要
この技術では、固体撮像装置(2次元イメージセンサ)は、画素アレイ部と周辺回路部とを同一の半導体チップ上に集積化している。画素アレイ部には、2次元マトリクス状に多数の画素が配列されており、方形状の撮像領域を構成している。そして、この画素アレイ部の下辺部には、画素行方向に沿って水平シフトレジスタが設けられ、画素アレイ部の左辺部には画素列方向に沿って垂直シフトレジスタが設けられている。垂直シフトレジスタ及び水平シフトレジスタには、タイミング発生回路が接続されている。タイミング発生回路、水平シフトレジスタ及び垂直シフトレジスタによって画素アレイ部内の画素が順次走査され、画素信号の読み出しや電子シャッタ動作が実行される。即ち、固体撮像装置では、画素アレイ部を各画素行単位で垂直方向に走査することにより、各画素行の画素信号を各画素列毎に設けられた垂直信号線によって画素信号を読み出す。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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