量子井戸サブバンド間遷移デバイス

開放特許情報番号
L2008005880
開放特許情報登録日
2008/12/5
最新更新日
2008/12/5

基本情報

出願番号 特願2006-166751
出願日 2006/6/15
出願人 国立大学法人静岡大学
公開番号 特開2007-335686
公開日 2007/12/27
発明の名称 量子井戸サブバンド間遷移デバイス
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 赤外線検出、イメージング、赤外線センサー、赤外線発光素子
目的 従来のTMモードのみの光との相互作用に加え、TEモード光との相互作用を可能にし、デバイスの高効率、高性能化を実現できる量子井戸サブバンド間遷移デバイスの提供。
効果 本技術は、異方性半導体量子井戸を用いることにより、TEモード光によっても強いサブバンド間遷移を可能にするもので、TMモードの光との相互作用しかできない従来のサブバンド間遷移デバイスの欠点を解消するもので、量子井戸層に垂直に光入射させる赤外線イメージセンサー、量子カスケードレーザのTEモード動作、面発光量子井戸レーザ及び垂直入射サブバンド間光励起超高速光変調素子等への広い応用が期待できる。
技術概要
PbTeやGe系量子井戸においては、[100]方向に量子井戸成長を行なえば、ブリルアンゾーンL点のどの極小点においても等価なサブバンド構造が形成され、且つ、等エネルギー楕円体主軸に対して量子井戸方向を傾斜させることができる。この技術の超格子試料は、2原子層EuTeと20原子層PbTeの300周期からなり、EuTe(1原子層)/PbTe(23原子層)/EuTe(1原子層)/PbTe(9原子層)の2重量子井戸200周期からなる。短周期の干渉縞は、超格子を厚いPbTe上へ作製したため、PbTeと超格子のトータル膜厚によるものである。サブバンド間吸収は干渉縞と平均透過率の減少により確認できる。2重量子井戸超格子構造においては、サブバンド間吸収は波数1150cm↑(−1)付近にあり、吸収係数に直すと2000−3000cm↑(−1)に相当する。また、吸収はy↓1からy↓1’への遷移で生じている。垂直入射において、このような大きな吸収が得られるので、この遷移を垂直入射赤外線イメージセンサーへ応用することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【否】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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