| 出願番号 |
特願2006-166751 |
| 出願日 |
2006/6/15 |
| 出願人 |
国立大学法人静岡大学 |
| 公開番号 |
特開2007-335686 |
| 公開日 |
2007/12/27 |
| 発明の名称 |
量子井戸サブバンド間遷移デバイス |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
赤外線検出、イメージング、赤外線センサー、赤外線発光素子 |
| 目的 |
従来のＴＭモードのみの光との相互作用に加え、ＴＥモード光との相互作用を可能にし、デバイスの高効率、高性能化を実現できる量子井戸サブバンド間遷移デバイスの提供。 |
| 効果 |
本技術は、異方性半導体量子井戸を用いることにより、ＴＥモード光によっても強いサブバンド間遷移を可能にするもので、ＴＭモードの光との相互作用しかできない従来のサブバンド間遷移デバイスの欠点を解消するもので、量子井戸層に垂直に光入射させる赤外線イメージセンサー、量子カスケードレーザのＴＥモード動作、面発光量子井戸レーザ及び垂直入射サブバンド間光励起超高速光変調素子等への広い応用が期待できる。 |
技術概要
 |
ＰｂＴｅやＧｅ系量子井戸においては、［１００］方向に量子井戸成長を行なえば、ブリルアンゾーンＬ点のどの極小点においても等価なサブバンド構造が形成され、且つ、等エネルギー楕円体主軸に対して量子井戸方向を傾斜させることができる。この技術の超格子試料は、２原子層ＥｕＴｅと２０原子層ＰｂＴｅの３００周期からなり、ＥｕＴｅ（１原子層）／ＰｂＴｅ（２３原子層）／ＥｕＴｅ（１原子層）／ＰｂＴｅ（９原子層）の２重量子井戸２００周期からなる。短周期の干渉縞は、超格子を厚いＰｂＴｅ上へ作製したため、ＰｂＴｅと超格子のトータル膜厚によるものである。サブバンド間吸収は干渉縞と平均透過率の減少により確認できる。２重量子井戸超格子構造においては、サブバンド間吸収は波数１１５０ｃｍ↑（−１）付近にあり、吸収係数に直すと２０００−３０００ｃｍ↑（−１）に相当する。また、吸収はｙ↓１からｙ↓１’への遷移で生じている。垂直入射において、このような大きな吸収が得られるので、この遷移を垂直入射赤外線イメージセンサーへ応用することができる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【否】
|
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