酸化亜鉛系発光素子

開放特許情報番号
L2008005779
開放特許情報登録日
2008/11/21
最新更新日
2013/7/19

基本情報

出願番号 特願2007-086470
出願日 2007/3/29
出願人 国立大学法人島根大学
公開番号 特開2008-244387
公開日 2008/10/9
登録番号 特許第5277430号
特許権者 国立大学法人島根大学
発明の名称 酸化亜鉛系発光素子
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸化亜鉛系発光素子
目的 低コストで大面積の発光素子を容易に作成できるようにする。
効果 ガラス等の基板上に、安価なp型のZnO結晶粒子とn型薄膜とによりpn接合を形成し、高輝度かつ大面積な近紫外−青色発光素子を提供できる。また、安価なZnO結晶粒子からMIS(Metal Insulator Semiconductor)型のエレクトロルミネッセンス素子を形成することにより低電圧で発光する高輝度な平面型の白色照明装置を提供できる。通常の高輝度発光ダイオードのように高価な単結晶基板が不要となるため安価であって、大面積化が容易であるため、一般照明装置の用途に対して、その効果は絶大である。
技術概要
n型酸化亜鉛系薄膜と正孔輸送層または発光層である酸化亜鉛粒子層とを焼結した接合を有する酸化亜鉛系発光素子である。透明な基板101上に、ZnO系透明導電膜102、n型ZnO薄膜103、正孔輸送層または発光層であるZnO粒子層104、電極106が順に積層した構造を有する発光素子100であって、ZnO粒子層104が、窒素濃度が10↑1↑6cm↑−↑3〜10↑2↑0cm↑−↑3であり粒子サイズが50nm〜500nmである酸化亜鉛の結晶粒子を焼結した半導体層である。基板上に、第1の導電膜、n型酸化亜鉛系薄膜、正孔輸送層または発光層である酸化亜鉛粒子層、p型Mg↓xZn↓1↓−↓xO薄膜(ただしX=0〜0.3)、第2の導電膜が順に積層した構造を有する酸化亜鉛系発光素子である。基板は近紫外光または可視光に対して透明であり、第1の導電膜がn型酸化亜鉛系透明導電膜であり、第2の導電膜が金属膜である。第2の導電膜が酸化インジウム錫系透明導電膜であるのが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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