薄膜発熱体

開放特許情報番号
L2008005717
開放特許情報登録日
2008/11/14
最新更新日
2011/12/16

基本情報

出願番号 特願2007-507112
出願日 2006/3/7
出願人 学校法人同志社
公開番号 WO2006/095709
公開日 2006/9/14
登録番号 特許第4863176号
特許権者 学校法人同志社
発明の名称 薄膜発熱体
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 薄膜発熱体
目的 基体上に珪化タングステンを薄膜状に形成した薄膜発熱体を提供する。
効果 この薄膜発熱体によれば、長時間使用しても、繰り返し使用しても同じ特性を維持することができる。
技術概要
基体と、基体上に形成した、珪化タングステンを含む薄膜と、白金からなる電極層と、を具備した薄膜発熱体である。図1、図2に、アルミナるつぼを用いた珪化タングステンの薄膜を有する薄膜発熱体の構造を示す。図1において、薄膜発熱体は、基体としてのアルミナ製のるつぼ10と、そのるつぼ10の外面上に形成された珪化タングステン薄膜層12とを備える。るつぼ10の開口部付近と底部付近には、電極層11a、11bが、珪化タングステン薄膜層12の上に形成されている。電極層11a、11bの上部に、リード線13a、13bが白金ペーストなどによりろう付けされている。図2に、開口部のリード線13a部分の断面構造を示す。電極層11a、11bは、例えば、白金Ptからなるものでもよい。アルミナ基板に珪化タングステンをアルミナるつぼと同じ条件でスパッタ時間を2時間として堆積し、堆積させた珪化タングステン薄膜を粉末X線分析法(XRD)により評価する。基板加熱なしの自然昇温で堆積させた薄膜のXRDパターンを図3に示す。また、基板加熱を700℃で堆積させた薄膜のXRDパターンを図4に示す。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人同志社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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