結晶成長方法及び結晶成長装置
- 開放特許情報番号
- L2008005687
- 開放特許情報登録日
- 2008/11/14
- 最新更新日
- 2012/1/20
基本情報
| 出願番号 | 特願2005-364018 |
|---|---|
| 出願日 | 2005/12/16 |
| 出願人 | 国立大学法人静岡大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2007/6/28 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人静岡大学 |
| 発明の名称 | 結晶成長方法及び結晶成長装置 |
| 技術分野 | 電気・電子、情報・通信 |
| 機能 | 機械・部品の製造、その他 |
| 適用製品 | 半導体装置、半導体素子 |
| 目的 | この発明は、ｐ型酸化亜鉛（ＺｎＯ）系化合物半導体材料の抵抗率を制御した結晶を作成する結晶成長方法及び結晶成長装置を提供する。 |
| 効果 | この発明は、抵抗率の制御を広いダイナミックレンジで行うことが出来るｐ型ＺｎＯ系化合物半導体材料の結晶成長方法及び結晶成長装置を提供できる。 |
技術概要) |
従来、ＺｎＯ系化合物半導体の結晶成長では、化学両論的組成（ストイキオメトリ）の制御が難しいとされ、特にｐ型のＺｎＯの低効率や不純物密度の広いダイナミックレンジの制御が困難であると言う問題があった。この発明の化合物半導体の結晶成長方法は、次のステップで行われる、１）減圧された反応容器中で基板を成長温度まで加熱し、成長温度に維持する。２）減圧された反応容器中で少なくともＺｎ元素の化合物を含む１または２以上のⅡ族原料ガスを基板の表面に供給する。３）減圧された反応容器中で、基板の表面にイオンが到達しないようにして、Ⅱ族原料ガスの導入と同時もしくは交互に、窒素原子ラジカル及び酸素原子ラジカルを、基板の表面に供給する。このステップで作られたｐ型ＺｎＯ半導体薄膜は、従来生じ易かった酸素欠損を防止することが出来、低い値の抵抗値を得ることができる。 |
| イメージ図 | |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
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登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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