高電子移動度ZnOデバイス

開放特許情報番号
L2008005674
開放特許情報登録日
2008/11/7
最新更新日
2008/11/7

基本情報

出願番号 特願2007-055686
出願日 2007/3/6
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2008-218801
公開日 2008/9/18
発明の名称 高電子移動度ZnOデバイス
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 禁制帯幅の広いワイドギャップ半導体、高出力・高周波デバイス、短波長の光電子デバイスの材料
目的 HEMT構造に適した「大きなバンドギャップの半導体/小さなバンドギャップの半導体/基板」構造で、2次元電子ガス層をチャンネル層として利用する構造の高電子移動度ZnOデバイスの提供。
効果 HEMT構造に適した構造を利用しながら、2次元電子ガス層をチャンネル層として利用できる高電子移動度ZnOデバイスを提供できる。
技術概要
この技術では、成長法は酸素ラジカルを用いたMBE法である。基板としてサファイアc面基板を用い、MgOバッファ層(10nm程度)、アンドープZnO層(1μm程度)を順次成長させる。このときアンドープZnOはZn極性(0001)面が成長面となる。その上にZn極性面のMg組成が5%〜45%の範囲のアンドープZnMgO層(30nm程度)を成長させてZnOデバイスとする。なお、高電子移動度ZnOデバイスでは、アンドープZnO層の成長のためサファイアc面基板及びMgOバッファ層を採用したが、Zn極性ZnOバルク基板、GaN基板、SiC基板、Si基板等上に直接Zn極性ZnO層を成長してもよい。また、Zn極性(0001)面を有するアンドープZnO層及びZn極性(0001)面を有するアンドープZn↓(1−x)Mg↓xO(0.15≦x≦0.45)層の上下に他の半導体層を介在させてもよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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