電子放出素子

開放特許情報番号
L2008005563
開放特許情報登録日
2008/10/31
最新更新日
2008/10/31

基本情報

出願番号 特願2005-105247
出願日 2005/3/31
出願人 国立大学法人静岡大学
公開番号 特開2006-286417
公開日 2006/10/19
発明の名称 電子放出素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 電子放出素子
目的 高密度電子源や電子線励起ディスプレイなどに用いることが可能な電子放出素子において、高効率、低電圧で動作し、容易に集積化できる電子放出素子を提供する。
効果 高効率、低電圧で動作し、容易に集積化できる電子放出素子を提供できる。
技術概要
(イ)ウルツ鉱構造を有し、表面が窒素原子面のC面である第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる下地層と、(ロ)厚さ10原子層未満で、第1の窒化物系III−V族化合物半導体よりも格子定数の小さく、ウルツ鉱構造を有する第2の窒化物系III−V族化合物半導体層からなる第1歪み層と、(ハ)厚さ10原子層未満の第1の窒化物系III−V族化合物半導体からなる中間層と、(ニ)厚さ10原子層未満で、第2の窒化物系III−V族化合物半導体層からなる第2歪み層とを含む繰り返し構造を備える電子放出素子である。特に、この繰り返し構造の最上層を、厚さ10原子層未満で、第2の窒化物系III−V族化合物半導体層からなる電子放出層とする。図1は電子放出素子のエネルギーバンド構造図である。図2は、ホットウォールエピタキシー法により作製したGaN層の−C面(窒素面)の走査型電子顕微鏡(SEM)写真を示す。−C面にGaN層を成長させると、図2中に見られるような六角錐(六角錐台形)構造が形成される。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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