| 出願番号 |
特願2004-303983 |
| 出願日 |
2004/10/19 |
| 出願人 |
国立大学法人静岡大学 |
| 公開番号 |
特開2006-120685 |
| 公開日 |
2006/5/11 |
| 登録番号 |
特許第4613305号 |
| 特許権者 |
国立大学法人静岡大学 |
| 発明の名称 |
埋め込みフォトダイオード構造による撮像装置 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
埋め込みフォトダイオード構造による撮像装置 |
| 目的 |
十分な蓄積信号量と、リセット雑音除去、低暗電流、高感度といった性能と両立することができる画像構造を提供する。 |
| 効果 |
フォトダイオードの電荷蓄積部としてのｎ型領域をｐ型半導体シリコンからなる基板中に埋め込み、この領域から容量結合により非接触で信号を取り出すので、ｎ型領域には高濃度のｎ型層が存在せず、リセット時にｎ型領域を完全に空乏化し、全ての電子を一時的に、リセット用電源に接続されたｎ型領域に抜き去ることができる。 |
技術概要
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図１は埋め込みフォトダイオードと浮遊電極の電荷検出による画素構造ｐ層形成を示す図である。フォトダイオードの電荷蓄積部２であるｎ型領域が基板１中に埋め込まれている。シリコンとシリコン酸化膜４の界面は、高濃度のｐ層３で覆われ、信号取りだし用浮遊電極１４の直下の部分だけ、比較的低濃度のｐ層１１を形成する。光により発生した電子は、電荷蓄積部２であるｎ型領域に蓄積され、それによって半導体表面のｐ層１１の部分の電位が変化する。この電位の変化を薄い絶縁膜を介して浮遊状態にした浮遊電極１４に容量結合により伝える。その浮遊電極１４の電位の変化をバッファトランジスタ７により読み出す。電荷の初期化は、制御信号Ｒによってゲート電極６に正の高い電圧を加えることによって行われるが、このときフォトダイオードの電荷蓄積部２に蓄積された電子を全てｎ＋領域５に転送することで、リセット雑音の発生を防ぐ。図２は埋め込みフォトダイオードと浮遊電極の電荷検出による画素構造を示す図、図３は埋め込みフォトダイオードと浮遊電極の電荷検出による画素構造（ｐチャネルＭＯＳトランジスタを一部使用）を示す図、図４はイメージセンサ全体の構成を示す図、である。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【有】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
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| 特許権実施許諾 |
【可】
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