結晶化率の測定方法及び測定装置

開放特許情報番号
L2008005537
開放特許情報登録日
2008/10/31
最新更新日
2013/11/29

基本情報

出願番号 特願2006-336021
出願日 2006/12/13
出願人 国立大学法人東京農工大学
公開番号 特開2008-147578
公開日 2008/6/26
登録番号 特許第5347122号
特許権者 国立大学法人東京農工大学
発明の名称 結晶化率の測定方法及び測定装置
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出、材料・素材の製造
適用製品 半導体薄膜の結晶化率の測定装置
目的 精度良く、かつ短時間に、半導体薄膜の結晶化率を測定する測定方法及び測定装置を提供する。
効果 半導体薄膜試料の透過率もしくは反射率から結晶化率が求められるので、透過率もしくは反射率から結晶化率を精度良く求めることができる。また、簡便に短時間で、結晶化率を求めることができる。
技術概要
 
基体上に形成された半導体薄膜に、半導体薄膜と基体との間に光学的干渉共鳴を起こす波長を含む光L2を照射し、光の透過光L3の光強度、或いは、光の反射光の光強度を、測定することにより、半導体薄膜の結晶化率を測定する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 ラマン散乱法を用いた方法は大面積、多数箇所の結晶化率評価を短時間で行うことはできなかったが、本発明は解決した。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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