高光閉じ込め導波路インターサブバンド全光スイッチ

開放特許情報番号
L2008005526
開放特許情報登録日
2008/10/24
最新更新日
2008/10/24

基本情報

出願番号 特願2007-049717
出願日 2007/2/28
出願人 独立行政法人情報通信研究機構
公開番号 特開2008-216314
公開日 2008/9/18
発明の名称 高光閉じ込め導波路インターサブバンド全光スイッチ
技術分野 情報・通信、化学・薬品、その他
機能 制御・ソフトウェア、材料・素材の製造、その他
適用製品 光ネットワークに用いる光スイッチ。
目的 低強度の制御光で超高速のスイッチングが出来る高光閉じ込め導波路インターサブバンド全光スイッチを提供すること。
効果 大きな屈折率差が得られ、光閉じ込めの効果を改善することができる。 また、大きな屈折率差は小さな断面サイズの導波路の作製が可能となるため、実効的なパワー密度を上げることが出来、この結果、ISBT全光超高速スイッチの消費電力を低減することができる。
技術概要
半導体量子井戸構造を持ちサブバンド間遷移を起こすIII−V族化合物半導体層をIII−V族化合物半導体層よりも低屈折率をもつ材料上にウェハボンディングで構成し、III−V族化合物半導体層から光導波路を形成し、光導波路の周りにIII−V族化合物半導体層よりも低屈折率をもつ膜をつけることで形成した光導波路と、光信号と制御信号とを入力する個別あるいは共通の入力端と、光信号を出力する出力端とを備える。 また、光信号と制御光信号とを入力し、制御光信号でサブバンド間遷移を飽和させて光信号の透過率を制御することで、制御光信号を照射するときに光信号を出力する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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