光学活性ヒドラジノケトエステル化合物の製造方法

開放特許情報番号
L2008005506
開放特許情報登録日
2008/10/24
最新更新日
2015/11/11

基本情報

出願番号 特願2007-061124
出願日 2007/3/10
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2008-222620
公開日 2008/9/25
登録番号 特許第4860509号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 光学活性ヒドラジノケトエステル化合物の製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 光学活性ヒドラジノケトエステル化合物
目的 β−ケトエステルを用いたC−N結合の不斉生成反応を水性溶媒系で行う方法を提供する。
効果 高収率、かつ高立体選択的な光学活性α−ヒドラジノ−β−ケトエステル化合物の製法を提供するものである。また、水と有機溶媒との混合溶媒中でβ−ケトエステルに対してヒドラジノ基を高収率、かつ高立体選択的に導入する方法を提供するものであり、この方法は、水共存下での反応であることから、有害な有機溶剤を減らせること、廃棄物の低減化が可能なことから環境に負荷をかけない化学反応のプロセスの構築が可能となり、工業的にも優れた方法である。
技術概要
キラルなホスフィノフェロセン誘導体(A)、及び銀化合物(B)とを混合させて得られる触媒の存在下で、アゾジカルボキシレート(C)とβ−ケトエステル化合物(D)とを、水性溶媒中で反応させる、光学活性α−ヒドラジノ−β−ケトエステル化合物を製造する方法である。成分Aは、式1で表される。式中、R↑1、R↑2は、脂肪族炭化水素基、又は芳香族炭化水素基を示し、R↑3は炭化水素基を示し、R↑4は水素原子又は炭化水素基を示す。成分Cは、式2で表される。式中、R↑6は、炭化水素基を表す。成分Dは、式3で表される。式中、R↑7、R↑8は、炭化水素基又は複素環基を示すか、R↑7とR↑8が一緒になって隣接する炭素原子と共に単環式、多環式、又は縮合環式の5〜10員の環を形成してもよく、R↑9は、炭化水素基又は複素環基を示す。成分Bは、AgXで表される。式中、Xは、OSO↓3R↑5(R↑5は、炭素数が1以上のパーフルオロアルキル基)、又はClO↓4、BF↓4、PF↓6、SbF↓6などの強酸の対アニオンを示す。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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