高分子固定化パラジウム触媒、及びその製造方法、並びに前記触媒を用いた反応方法

開放特許情報番号
L2008005504
開放特許情報登録日
2008/10/24
最新更新日
2015/11/11

基本情報

出願番号 特願2007-060817
出願日 2007/3/9
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2008-221089
公開日 2008/9/25
登録番号 特許第4701195号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 高分子固定化パラジウム触媒、及びその製造方法、並びに前記触媒を用いた反応方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 高分子固定化パラジウム触媒
目的 アミン類とハロゲン化アリール化合物との反応に特に有効で、かつ、反応終了後の漏出が殆ど無く、回収・再使用が容易な高分子固定化パラジウム触媒を提供する。
効果 アミン類とハロゲン化アリール化合物との反応性に優れている。かつ、反応終了後の漏出が殆ど無く、回収・再使用が容易である。そして、再使用した場合でも、触媒活性の低下が非常に小さい。
技術概要
パラジウムが架橋高分子に担持されてなる高分子固定化パラジウム触媒である。架橋高分子は、側鎖に、疎水性基と、親水性基と、−PR↑1↓2基とを有し、−PR↑1↓2基のPと架橋高分子の主鎖との間に、ビフェニル構造およびビナフチル構造の群の中から選ばれる少なくとも一つを有する。−PR↑1↓2基を有する側鎖は、式で表される基である。式中、R↑1は、アルキル基、アリール基およびアラルキル基から選ばれる何れかの基、R↑2、R↑3は、水素原子、アルキル基、アリール基およびアラルキル基から選ばれる何れかの基である。好ましくは、R↑1はシクロアルキル基、疎水性基は芳香族基である。高分子固定化パラジウム触媒の製造方法は、架橋性基、疎水性基、親水性基、及び−PR↑1↓2基を側鎖に有し、−PR↑1↓2基のPと架橋性高分子の主鎖との間にビフェニル構造およびビナフチル構造から選ぶ架橋性高分子と、パラジウム化合物とを含む溶液に相分離を生じさせる相分離工程と、相分離工程での相分離によりパラジウムが担持された架橋性高分子に架橋反応を行なわせる架橋反応工程とを具備する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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