赤外光検出器

開放特許情報番号
L2008005490
開放特許情報登録日
2008/10/24
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願2007-038176
出願日 2007/2/19
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2008-205106
公開日 2008/9/4
登録番号 特許第5240748号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 赤外光検出器
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 赤外光検出器
目的 赤外光検出が開始されてから比較的短時間で電荷敏感トランジスタの電流変化率が飽和してしまうため、赤外光感度には限界が生じる限界を超えた、赤外光感度のさらなる向上を図りうる赤外光検出器を提供する。
効果 赤外光検出時に遮断状態および接続状態が交互に切り替えられ、遮断状態における第2電子層の電気伝導度の変化が累積的に検出されることによって、赤外光感度の向上が図られる。また、バイアス電圧が調節されることによって電位障壁の高低または有無が調節され、その結果、孤立領域が外部電子系から電気的に遮断された状態と、孤立領域が外部電子系に電気的に接続された状態とを切り替えることができる。
技術概要
図1の赤外光検出器100は、第1電子層102と、第2電子層104と、パッチアンテナ(またはマイクロストリップ・アンテナのパッチ部)110と、第1ゲート電極111と、第2ゲート電極112と、第1電圧制御装置(またはパルスジェネレータ)113と、第2電圧制御装置114とを備えている。赤外光検出器100は、半導体多層ヘテロエピタキシャル成長基板から作成されているので、図2(a)および図2(b)に示されているような層構造を有する。また、中間層103の組成比xは、遮断状態の初期において基板の深さ方向(−z方向)について図3(a)のエネルギーダイヤグラムが形成されるように調節される。第1電子層102および第2電子層104は、一方の翼状部分の端部において第1オーミックコンタクト(ソース電極)122に接続され、他方の翼状領域の端部において第2オーミックコンタクト(ドレイン電極)124に接続され、かつ、幅狭の帯領域の先端部において第3オーミックコンタクト126に接続される。第1オーミックコンタクト122および第2オーミックコンタクト124に接続された電流計128によって第2電子層104の電流が測定される。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 第1ゲート電極へのバイアス電圧の印加により、入射赤外光が無い状態で孤立領域の帯電量が変化する事態が回避される。また、遮断状態において第2電子層の電気伝導度の変化率が飽和する前に、遮断状態が接続状態に切り替えられるので、飽和の影響を除去することによる赤外光の検出精度の向上が図られる。
改善効果2 第2ゲート電極に印加されるバイアス電圧が第2条件を満たすように制限されている。これにより、第2ゲート電極にバイアス電圧が印加されることにより第2電子層にまで電位障壁が形成される事態が回避され、その結果、赤外光の検出感度が高く維持される。
アピール内容 当ライセンス情報は、独立行政法人科学技術振興機構の『研究成果展開総合データベース(J−STORE)』に掲載中の情報をもとに作成したものです。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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