発光デバイス

開放特許情報番号
L2008005113
開放特許情報登録日
2008/9/26
最新更新日
2010/2/5

基本情報

出願番号 特願2008-162682
出願日 2008/6/23
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-003938
公開日 2010/1/7
発明の名称 発光デバイス
技術分野 電気・電子、無機材料、その他
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 照明装置、LED
目的 この発明は、Zn極性面のZnMgO(Zn↓1↓―↓xMg↓xO)を活性層とした、紫外領域でも発光効率が高い発光素子を提供する。
効果 この発明の方法によれば、膜厚を30nm以下とすることにより、X=0.61まで相分離を起こさず、ウルツ鉱型構造を保ったままZ↓1↓―↓xMg↓xOを得ることができるため、発光波長がZnO単体(X=0)の370nm付近から270nm程度までおよぶ紫外領域の発光デバイスが得られる。
技術概要
現在、低消費電力、長寿命の観点から照明やヘッドランプ等の光源として、白色LEDが注目を集めている。この点からGaN系半導体及びZnO系半導体が注目されているが、GaN系半導体では、短波長領域での発光効率の問題があり、ZnO系半導体も発光効率の十分なものが得られていない。この発明は、ウルツ鉱型の結晶構造を有するZn極性面のZ↓1↓―↓xMg↓xOを活性層とし、0.33<X<0.61であり、かつ活性層の厚みが30nm以下であることを特徴としている。また、上記活性層は、Zn極性面のZ↓1↓―↓YMg↓YO(Y>X)に挟まれた量子井戸構造を備えているものである。Zn極性面を使用する理由は、ZnMgOnストークスシフトがO極性を用いた場合のストークスシフトより小さく、Mg組成が20%で27meVと、O極性を用いた場合の117meVに比べて4分の1以下と非常に小さく高品質なZnMgOを使用できるためである。また、膜厚を30nm以下にすると励起子の効果を室温でも発現する高い品質を保ったまま短波長領域の発光デバイスを実現することが出来る。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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