発光デバイス

開放特許情報番号
L2008005112
開放特許情報登録日
2008/9/26
最新更新日
2010/2/5

基本情報

出願番号 特願2008-162680
出願日 2008/6/23
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2010-003937
公開日 2010/1/7
発明の名称 発光デバイス
技術分野 電気・電子、無機材料、その他
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 照明装置、LED
目的 この発明は、Zn↓1↓−↓xMg↓xOを活性層とした発光デバイスにおける、特に紫外領域での発光効率を向上させた発光デバイスを提供する。
効果 この発明の方法によれば、Zn極性面のZn↓1↓−↓xMg↓xOを活性層とした発光デバイスにおいて、0.11≦X≦0.32としたため、発光波長が330nm付近の発光デバイスの発光効率向上させた発光デバイスが得られる。
技術概要
現在、低消費電力、長寿命の観点から照明やヘッドランプ等の光源として、白色LEDが注目を集めている。この点からGaN系半導体及びZnO系半導体が注目されているが、GaN系半導体では、短波長領域での発光効率の問題があり、ZnO系半導体も発光効率の十分なものが得られていない。 この発明は、ウルツ鉱型の結晶構造を有するZn極性面のZ↓1↓−↓xMg↓xOを活性層とし、0.11≦X≦0.32としたものである。また、Zn極性面のZ↓1↓−↓xMg↓xOを活性層を、0.11≦X≦0.32とし、Zn極性面のZnの↓1↓−↓YMgO(Y>X)及びZn極性面のZn↓1↓−↓ZMg↓ZO(Z>X)に挟まれた量子井戸構造とし、Y,Zの値を選択することにより、高い発光効率を得ることができる。Zn極性面を使用する理由は、ZnMgOnストークスシフトがO極性を用いた場合のストークスシフトより小さく、Mg組成が20%で27meVと、O極性を用いた場合の117meVに比べて4分の1以下と非常に小さく高品質なZnMgOを使用できるためである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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