ナノワイヤ電界効果トランジスタ及びその作製方法、並びにこれを含む集積回路

開放特許情報番号
L2008005096
開放特許情報登録日
2008/9/26
最新更新日
2018/1/8

基本情報

出願番号 特願2010-516831
出願日 2009/6/5
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2009/151001
公開日 2009/12/17
登録番号 特許第5413782号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ナノワイヤ電界効果トランジスタ及びこれを含む集積回路
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ナノワイヤ電界効果トランジスタ、集積回路
目的 デバイス面積の増大を招くことなく駆動電流を高めることができるナノワイヤ電界効果トランジスタの提供。
効果 不均一なシリコン細線を高温水素アニール或いは熱酸化などで形成する円形断面形状のナノワイヤの寸法バラツキ、特性バラツキを改善できる。
技術概要
この技術では、(100)面方位を持つSOI(Silicon−On−Insulator)基板上に、シリコン結晶よりなりナノワイヤを構成する偶数個の三角柱状体が、その稜線が絶縁体を介して互いに対向するように上下に配置されているナノワイヤ電界効果トランジスタを提供する。偶数個の三角柱状体の組は複数組並列に配置されているものとする。三角柱状体の周囲には、ゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられているものとする。三角柱状体の両側面には、それぞれゲート絶縁膜を介して独立したゲート電極が設けられているものとする。三角柱状体の側面は、(111)面方位とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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