ナノワイヤ電界効果トランジスタ及びその作製方法、並びにこれを含む集積回路

開放特許情報番号
L2008005095
開放特許情報登録日
2008/9/26
最新更新日
2018/1/8

基本情報

出願番号 特願2010-516829
出願日 2009/6/5
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2009/150999
公開日 2009/12/17
登録番号 特許第5553266号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ナノワイヤ電界効果トランジスタの作製方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ナノワイヤ電界効果トランジスタ、集積回路
目的 デバイス面積の増大を招くことなく駆動電流を高めることができるナノワイヤ電界効果トランジスタの提供。
効果 不均一なシリコン細線を高温水素アニール或いは熱酸化などで形成した円形断面形状のナノワイヤの寸法バラツキ、特性バラツキを改善できる。
技術概要
この技術では、基板上に、シリコン結晶よりなり、ナノワイヤを構成する偶数個の柱状体が、基板の面と平行かつ上下に配置されていることを特徴とするナノワイヤ電界効果トランジスタを提供する。偶数個の柱状体の組は複数組並列に配置されているものとする。シリコン結晶は、SOI(Silicon−On−Insulator)基板を構成するSOI(Silicon−On−Insulator)層であるものとする。SOI基板は、(100)面方位を持つSOI基板であり、また柱状体は、円柱状体であるものとする。また、円柱状体の周囲にはゲート絶縁膜を介してゲート電極が設けられているものとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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