半導体双方向スイッチング装置

開放特許情報番号
L2008005086
開放特許情報登録日
2008/9/26
最新更新日
2015/9/21

基本情報

出願番号 特願2008-145975
出願日 2008/6/3
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-295684
公開日 2009/12/17
登録番号 特許第5245157号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体双方向スイッチング装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 家電製品、産業用機器、パワーエレクトロニクス、マトリックスコンバータ、電力変換装置
目的 双方向に電流を制御することが可能であり、かつダブルインジェクションによる低抵抗動作やスーパージャンクション構造による電界マネージメントが可能な双方向スイッチの提供。
効果 二つの主電極に電子とホールの流れを制御する構造を設けることにより、スーパージャンクション構造を持ち、その耐圧特性の利点を有する双方向スイッチが可能となる。また、二つの主電極の電子の制御を両方ともオンにすれば、拡散電位なしでオン動作、つまり通電でき、電圧の低い用途に有効なスイッチング素子が可能である。さらに、二つの主電極で電子とホールの制御を行えば、スーパージャンクション構造においてダブルインジェクションの効果が得ることが可能となる。
技術概要
この技術の半導体双方向スイッチング装置は、第1の主電極と第2の主電極の間に双方向に流れる電流を制御しているもので第1の主電極に出入りする電流を制御する第1の電流制御部、及び第2の主電極に出入りする電流を制御する第2の電流制御部を、第1の主電極と第2の主電極の間に有し、第1の電流制御部と第2の電流制御部の両方がそれぞれ、電子電流とホール電流の両者を制御する構造を有する。また、電子電流とホール電流の両者を制御する前記構造は、第1の電流制御部と第2の電流制御部の間を電子電流が流れるn形半導体と、第1の電流制御部と第2の電流制御部の間をホール電流が流れるp形半導体とを有し、n形半導体とp形半導体がスーパージャンクション構造となっている。更に、第1の電流制御部は、第1の電子電流制御部と第1のホール電流制御部から構成されており、第2の電流制御部は、第2の電子電流制御部と第2のホール電流制御部から構成されている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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