| 出願番号 |
特願2006-224692 |
| 出願日 |
2006/8/21 |
| 出願人 |
国立大学法人長岡技術科学大学 |
| 公開番号 |
特開2008-045198 |
| 公開日 |
2008/2/28 |
| 登録番号 |
特許第4734572号 |
| 特許権者 |
国立大学法人長岡技術科学大学 |
| 発明の名称 |
スパッターターゲット、スパッター装置、スパッター方法及び多層膜 |
| 技術分野 |
機械・加工、金属材料 |
| 機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造、接着・剥離 |
| 適用製品 |
スパッターターゲット、スパッター装置、及び多層膜 |
| 目的 |
既存のスパッター装置に適用でき、同一薄膜形成室内において、複数の異なる組成を有する層からなる組成制御性に優れた多層膜が作れるだけでなく、添加材料の交換時においてもターゲットを汚染せず、コスト面においても有利に組成の異なる複数の不純物材料が添加できるスパッターターゲット、スパッター装置、スパッター法及びこれにより得られる多層膜を提供する。 |
| 効果 |
このスパッターターゲットによれば、主ターゲットとこの主ターゲット上に載置される交換可能な補助ターゲットとを備えることによって、既存のスパッター装置に適用でき、同一薄膜形成室内において、複数の異なる組成を有する層からなる組成制御性に優れた多層膜が作れるだけでなく、添加材料の交換時においても主ターゲットを汚染せず、コスト面においても有利に組成の異なる複数の不純物材料が添加できる。 |
技術概要
 |
図１は、スパッターターゲットの模式図を示す。図１（Ａ）はスパッターターゲットの側面図であり、図１（Ｂ）はスパッターターゲットの平面図である。スパッターターゲット１は、主ターゲット２と、この主ターゲット２上に載置される補助ターゲット３からなる。また、補助ターゲット３は、添加材料４と、この添加材料４を主ターゲット２から離間させるための離間手段５から構成されている。図２は、容器形状に形成された離間手段５と複数の添加材料４からなる補助ターゲット３を示す。スパッター装置を、図３に示す。図３において、９は複数の異なる不純物を添加した薄膜又は複数の異なる不純物を添加した層からなる多層膜を形成するための基板８を収容する薄膜形成室である。薄膜形成室９には、薄膜形成室９にプラズマ生成ガスを導入するためのガス導入手段１０と、薄膜形成室９からプラズマ生成ガスを排気するためのガス排気手段１１と、薄膜形成室９内にプラズマを生成するための放電電極１２と、基板８を保持する基板保持手段１４と、補助ターゲット３を格納するための補助ターゲット格納室１５が設けられている。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
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| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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