スパッターターゲット、スパッター装置、スパッター方法及び多層膜

開放特許情報番号
L2008004787
開放特許情報登録日
2008/9/5
最新更新日
2011/6/17

基本情報

出願番号 特願2006-224692
出願日 2006/8/21
出願人 国立大学法人長岡技術科学大学
公開番号 特開2008-045198
公開日 2008/2/28
登録番号 特許第4734572号
特許権者 国立大学法人長岡技術科学大学
発明の名称 スパッターターゲット、スパッター装置、スパッター方法及び多層膜
技術分野 機械・加工、金属材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、接着・剥離
適用製品 スパッターターゲット、スパッター装置、及び多層膜
目的 既存のスパッター装置に適用でき、同一薄膜形成室内において、複数の異なる組成を有する層からなる組成制御性に優れた多層膜が作れるだけでなく、添加材料の交換時においてもターゲットを汚染せず、コスト面においても有利に組成の異なる複数の不純物材料が添加できるスパッターターゲット、スパッター装置、スパッター法及びこれにより得られる多層膜を提供する。
効果 このスパッターターゲットによれば、主ターゲットとこの主ターゲット上に載置される交換可能な補助ターゲットとを備えることによって、既存のスパッター装置に適用でき、同一薄膜形成室内において、複数の異なる組成を有する層からなる組成制御性に優れた多層膜が作れるだけでなく、添加材料の交換時においても主ターゲットを汚染せず、コスト面においても有利に組成の異なる複数の不純物材料が添加できる。
技術概要
図1は、スパッターターゲットの模式図を示す。図1(A)はスパッターターゲットの側面図であり、図1(B)はスパッターターゲットの平面図である。スパッターターゲット1は、主ターゲット2と、この主ターゲット2上に載置される補助ターゲット3からなる。また、補助ターゲット3は、添加材料4と、この添加材料4を主ターゲット2から離間させるための離間手段5から構成されている。図2は、容器形状に形成された離間手段5と複数の添加材料4からなる補助ターゲット3を示す。スパッター装置を、図3に示す。図3において、9は複数の異なる不純物を添加した薄膜又は複数の異なる不純物を添加した層からなる多層膜を形成するための基板8を収容する薄膜形成室である。薄膜形成室9には、薄膜形成室9にプラズマ生成ガスを導入するためのガス導入手段10と、薄膜形成室9からプラズマ生成ガスを排気するためのガス排気手段11と、薄膜形成室9内にプラズマを生成するための放電電極12と、基板8を保持する基板保持手段14と、補助ターゲット3を格納するための補助ターゲット格納室15が設けられている。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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