基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法及び該方法に使用する装置

開放特許情報番号
L2008004686
開放特許情報登録日
2008/8/29
最新更新日
2008/8/29

基本情報

出願番号 特願2002-061361
出願日 2002/3/7
出願人 国立大学法人長岡技術科学大学
公開番号 特開2003-253451
公開日 2003/9/10
登録番号 特許第3837496号
特許権者 国立大学法人長岡技術科学大学
発明の名称 基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法及び該方法に使用する装置
技術分野 機械・加工
機能 機械・部品の製造
適用製品 基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法に使用する装置
目的 大気開放型化学気相折出(CVD)法において、基材表面に酸化物あるいは水酸化物膜を形成する化学反応を促進する方法、特に基材温度200℃以下で酸化物あるいは水酸化物膜を効率良く形成する方法、及びこの方法に使用する装置を提供する。
効果 基材をとりまく反応空間に沿面放電プラズマが生じるように電界を印加することによって、基材表面に酸化物あるいは水酸化物膜を形成する化学反応を促進し、特に基材温度200℃以下で酸化物あるいは水酸化物膜を効率良く形成することが可能となり、これまで例を見ることのできない非耐熱性基材への酸化物膜あるいは水酸化物の高速堆積が可能となる。
技術概要
図1〜図3は、電極により構成された電界印加手段を示す模式図である。図4は基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法に使用する装置を示す図である。電界印加手段7と加熱台8はアルミナ板等の絶縁材料により電気的に絶縁されている。また、気化器3、ノズル4、基材6、電界印加手段7及び加熱台8は、防護チャンバー9により覆われており、防護チャンバー9にはアクリル樹脂等からなる扉10を設け、インターロックスイッチ11によって扉10の開閉と電界印加手段7のスイッチの開閉を連動させている。原料気化器3内で加熱蒸発させた原料は、窒素ガスとともにノズル4に送られ、ノズル4に設けた所定幅のスリット5から大気中に噴出させて、電界印加手段7の隙間から、所望により加熱された基材6の表面に吹付けられる。吹付けられた原料は、電界印加手段7により発生した沿面放電プラズマで分解され、基材表面に酸化物あるいは水酸化物膜を堆積する。電界印加手段7としては、図1〜図3のいずれのタイプのものを使用してもよく、また、印加する電界も直流電界、又は交番電界のいずれでもよい。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 基材表面に形成される被膜内の構造、特に被膜内の0.1nm以上100μm以下の構造を制御することが可能となり、基材表面に形成される被膜は、アモルファス、配向又は非配向の多結晶構造、ウイスカー状等種々の状態で得ることができる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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