レーザ用光学媒質、レーザ、及びレーザ用光学媒質の製造方法

開放特許情報番号
L2008004685
開放特許情報登録日
2008/8/29
最新更新日
2008/8/29

基本情報

出願番号 特願2002-273126
出願日 2002/9/19
出願人 国立大学法人長岡技術科学大学
公開番号 特開2004-111705
公開日 2004/4/8
登録番号 特許第3780338号
特許権者 国立大学法人長岡技術科学大学
発明の名称 レーザ用光学媒質、レーザ、及びレーザ用光学媒質の製造方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 レーザ用光学媒質、レーザ
目的 可視域において大きな光学利得と、波長可変性とを有する新規なレーザを提供する。
効果 可視域において大きな光学利得と、波長可変性とを有するレーザ用光学媒質を得ることができるので、この光学媒質を用いることにより、可視域において大きな光学利得と、波長可変性とを有する新規なレーザを提供することができるようになる。
技術概要
レーザ用光学媒質は、式:Eu↓xM↓yS↓z(M:Ga、Al及びInの少なくとも一種、(x、y、z)=(1、2、4)又は(2、2、5))なる希土類硫化化合物の結晶体から構成される。具体的には、EuGa↓2S↓4、EuAl↓2S↓4及びEuIn↓2S↓4の単結晶を例示することができる。この製造方法では、EuS粉末と、Ga↓2S↓3粉末、Al↓2S↓3粉末、及びIn↓2S↓3粉末の少なくとも一種とをH↓2S雰囲気中で固相反応させて、希土類硫化化合物の粉末を作製した後、ヨウ素輸送法により、希土類硫化化合物の単結晶を作製する。図1は、EuGa↓2S↓4結晶のレーザ発振スペクトルを示すグラフである。図1から明らかなように、563nm付近の液体窒素による誘導ラマン散乱以外に、552nm付近においてEuGa↓2S↓4単結晶からの指向性のある光が観測される。図2はEuGa↓2S↓4単結晶の室温及び77Kにおける光学利得を示すグラフである。図3はEu↓2Ga↓2S↓5単結晶からなるレーザ用光学媒質の発光スペクトルを示すグラフである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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