電子放出材料

開放特許情報番号
L2008004682
開放特許情報登録日
2008/8/29
最新更新日
2008/8/29

基本情報

出願番号 特願2001-080050
出願日 2001/3/21
出願人 国立大学法人長岡技術科学大学
公開番号 特開2002-274819
公開日 2002/9/25
登録番号 特許第3607947号
特許権者 国立大学法人長岡技術科学大学
発明の名称 電子放出材料
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 電子放出材料
目的 従来の電子放出材料よりもエネルギー効率が高く、長時間動作可能な電子放出材料を低コストで提供する。
効果 この電子放出材料は、エネルギー効率が高く、冷陰極素子、EL素子、温度センサー、ガスセンサー等のセンサー材料等に使用することができる。
技術概要
導電性のウイスカー上に設けられたN−H終端を含有するアモルファスないしは微結晶窒化炭素膜を有する電子放出材料である。N−H終端に富む窒化炭素膜とは、窒化炭素膜の赤外線吸収スペクトルにおける吸収面積比、即ち、N−H終端の吸収面積/C−H終端の吸収面積が1以上であることを意味する。ここで、N−H終端の吸収面積とは、窒化炭素膜の赤外線吸収スペクトルにおいて、3,300cm↑−↑1付近に認められるアミノ基に起因する吸収ピークの面積を意味する。また、C−H終端の吸収面積とは、赤外線吸収スペクトルの2,800cm↑−↑1〜3,000cm↑−↑1付近に認められるメチル基及びメチレン基に起因する吸収ピークの面積を意味する。これらのピークの面積は、積分法により算出される。図1は、電子放出材料を示す模式図である。導電性材料からなる基板2上に、N−H終端に富むアモルファスないしは微結晶窒化炭素膜3を形成することによって、板状の電子放出材料1を構成する。図2及び図3は、それぞれ電子放出材料の他の例を示す模式図である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT