酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置

開放特許情報番号
L2008004679
開放特許情報登録日
2008/8/29
最新更新日
2008/8/29

基本情報

出願番号 特願2000-297832
出願日 2000/9/29
出願人 長岡技術科学大学長
公開番号 特開2002-105642
公開日 2002/4/10
登録番号 特許第3521223号
特許権者 国立大学法人長岡技術科学大学
発明の名称 酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 機械・部品の製造
適用製品 酸化物膜の構造を制御する方法に使用する装置
目的 大気開放型気相折出(CVD)法において、各種の基材表面に堆積する酸化物膜の構造、特に酸化物膜内の0.1nm〜100μmの微細な構造を制御する方法、及びこの方法に使用する装置を提供する。
効果 各種基材表面に堆積する酸化物膜の0.1nm〜100μm程度の微細な構造を制御し、基材表面に所望の凹凸、ウイスカー、エピタキシャル膜等を有する酸化物膜を形成することが可能となる。比表面積が極めて大きいアモルファス及び多結晶酸化物膜や、表面平滑性に優れるアモルファス、多結晶或いは単結晶膜は触媒等の化学材料やセンサー、光学素子等の電子材料等として幅広い用途に使用することができる。
技術概要
気化させた原料をキャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けて基材表面に酸化物膜を堆積する大気開放型化学気相析出法において、反応空間場に電界を印加する、基材表面に形成する酸化物膜の構造を制御する方法である。図1は、大気開放型CVD法により各種基材表面に酸化物膜を形成するのに使用する装置を示す模式図である。直流電界印加装置7と加熱台8はアルミナ板等の絶縁材料(図示せず)により電気的に絶縁されている。気化器3、ノズル4、基材6、直流電界印加装置7及び加熱台8は、防護チャンバー9により覆われており、防護チャンバー9にはアクリル樹脂等からなる扉10を設け、インターロックスイッチ11によって扉10の開閉と直流電界印加装置7のスイッチの開閉を連動させている。原料気化器3内で加熱蒸発させた原料は、窒素ガスとともにノズル4に送られ、ノズル4に設けた所定幅のスリット5から大気中に噴出させて、加熱された基材6の表面に吹付けられる。吹付けられた原料は空気中で分解され、基材表面に酸化物膜を堆積するが、その際に直流電圧印加装置7により基材側に直流電界を印加することによって、酸化物膜の構造を制御する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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