層状シリケートの層間修飾による新規ゼオライト様物質及びその製法

開放特許情報番号
L2008004670
開放特許情報登録日
2008/8/29
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願2007-132205
出願日 2007/5/17
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2008-162878
公開日 2008/7/17
登録番号 特許第4982246号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 層状シリケートの層間修飾による新規ゼオライト様物質及びその製法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 層状シリケートの層間修飾による新規ゼオライト様物質
目的 簡便な製造法で、規則的なマイクロ孔(小さな細孔)を有し、かつ結晶構造を自由に選択することができ、さらに機械的強度や熱的安定性を有する新規なゼオライト様物質、及びその製造方法を提供する。
効果 原料の層状シリケートの層間距離に依存せずに、層間架橋剤により層状シリケートの層間距離を拡大させて、任意のマイクロ孔を有するゼオライト様物質を製造することができる簡便で、かつ選択性の高いゼオライト様物質の製造方法、及びその方法によって製造される新規なゼオライト様物質を提供するものである。本発明のゼオライト様物質は、従来のものとは異なり、層間距離が拡大された大きなマイクロ孔を有するものであり、ゼオライト様物質としての新規な応用が期待できる。
技術概要
層状シリケートを脱水縮合して製造され、ケイ素原子と酸素原子との共有結合からなるマイクロ孔を有するゼオライト様物質は、この層状シリケートに層間架橋剤を添加して脱水縮合することによりこの層状シリケートの層間距離が層間架橋剤により拡大されたマイクロ孔を有する。層間架橋剤は、シリル化剤である。シリケートからなるゼオライト様物質の粉末X線回折における2θの主ピークの角度(CuKα/度)は、原料の層状シリケートの粉末X線回折における2θの主ピークの角度(CuKα/度)よりも小さい。層状シリケートは、シリンダー状にマイクロ孔を有する層状シリケートである。層状シリケートは、PLS−1である。シリケートからなるゼオライト様物質の化学組成が式:Si↓2↓0・O↓3↓8(OH)↓4・M↓Xで表される。式中、Mは、アルカリ金属を表し、xは0≦x≦3.0の範囲を表す。層状シリケートに層間架橋剤を添加し、脱水縮合して、この層状シリケートの層間が層間架橋剤により架橋され、この層状シリケートの層間距離が層間架橋剤により拡大されたマイクロ孔を有するシリケートからなるゼオライト様物質を製造する方法である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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