炭化珪素半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2008004522
開放特許情報登録日
2008/8/22
最新更新日
2015/12/2

基本情報

出願番号 特願平10-320257
出願日 1998/11/11
出願人 三洋電機株式会社
公開番号 特開2000-150417
公開日 2000/5/30
登録番号 特許第3996282号
特許権者 三洋電機株式会社
発明の名称 炭化珪素半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 SiC半導体、オーミック電極、N↓2ガス
目的 炭化珪素(SiC)半導体への電極形成方法に用いて好適な炭化珪素(SiC)半導体の熱処理方法の提供。
効果 オーミック電極形成の熱処理を窒素ガス中で行うことにより、安定してオーミック電極を形成できるとともに、熱処理温度の低下が可能となる。また熱処理時間の短縮も可能となることから、浅いpn接合を有するSiC半導体素子でのオーミック電極形成が極めて容易になる。
技術概要
この技術では、n型SiC半導体基板1上にp型SiCエピタキシャル層及びn型SiCエピタキシャル層が設け、このn型SiCエピタキシャル層上にNi膜を電子ビーム技術によって蒸着した後、フォトリソグラフィ技術及びNi膜のケミカルエッチング技術によってパターンニングして、Ni電極を形成する。その後熱処理を施して、測定針を両電極につけ、電流を流して、電流−電圧特性を測定する。例えば、キャリア濃度が5×10↑(17)cm↑(−3)のn型SiCエピタキシャル層上に電子ビーム蒸着によって膜厚4000オングストロームのNi膜を形成した後、1000℃で5分間の熱処理をそれぞれN↓2(窒素)ガス中及びAr(アルゴン)ガス中で行い、オーミック特性を測定する。なお、ガス流量はいずれも1.0L/分である。測定結果は、Arガス中で熱処理した場合には非オーミック特性を示しているのに対して、N↓2ガス中で熱処理した場合には完全なオーミック特性を示していることが分かる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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