有機半導体薄膜及びこれを用いた有機薄膜トランジスター

開放特許情報番号
L2008004295
開放特許情報登録日
2008/8/15
最新更新日
2015/9/21

基本情報

出願番号 特願2008-072856
出願日 2008/3/21
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-231407
公開日 2009/10/8
登録番号 特許第5403578号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 有機半導体薄膜及びこれを用いた有機薄膜トランジスター
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 有機薄膜トランジスター等に有用な有機半導体薄膜に適用する。
目的 特定の化学構造を有する化合物層を設けてなる有機半導体薄膜を提供する。
効果 分子運動の自由度が保持され、柔軟性を有し、しかも曲げなどの変形に対して優れた安定性を示し、更には、高いキャリア移動度、高いon/off比を有し、基板を曲げた場合でも移動度、on/off比が低下しない有機半導体薄膜が得られる。
技術概要
高分子フィルム上に、式(R↓1は炭素数1〜8の直鎖アルキル;R↓2は炭素数1〜8のアルキル、アルコキシ;nは0〜3)で示される液晶化合物からなる液晶性半導体層を設けた有機半導体薄膜にする。例えば、ポリイミドフィルムからなる高分子フィルム1の上にポリビニルアルコールからなる高分子絶縁層3を設け、更に、高分子絶縁層3の上に式に示されるスメクティック液晶化合物(R↓1=C↓3H↓7;R↓2=C↓5H↓1↓1;n=1)からなる液晶性半導体層4を設けた有機半導体薄膜を得、この有機半導体薄膜を用いることにより、大気中ではp型の動作を示し、その電界効果移動度は最大で0.03cm↑2/Vs、on/off比は10↑4にも達する有機半導体トランジスターが可能になる(図)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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