酸化物薄膜形成装置

開放特許情報番号
L2008004283
開放特許情報登録日
2008/8/15
最新更新日
2015/9/21

基本情報

出願番号 特願2008-065643
出願日 2008/3/14
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2009-224456
公開日 2009/10/1
登録番号 特許第4911413号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 酸化物薄膜形成装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 電子デバイスの作製等に有用な酸化物薄膜形成装置に適用する。
目的 特定の薄膜形成手段と処理手段とを備える酸化物薄膜形成装置を提供する。
効果 物理的・電気的性能の向上した薄膜を簡便に作製することができる酸化物薄膜形成装置が可能になる。
技術概要
例えば、基板搬送治具10及び基板表面に薄膜を塗設するための塗設手段(塗布膜形成装置40、塗布膜乾燥装置60等)、反応時の雰囲気ガスの調整を行うガス雰囲気制御手段(反応ガス導入管70、生成ガス排出管80等)、基板及び基板上の薄膜(被塗布基板90)の温度を保持するための温度保持装置30及び塗設面上方に紫外光源(紫外光ランプ20)を備えており、光源の発する光線が塗設面に直接照射されることなく雰囲気ガスに照射されるように光源が配置されている酸化物薄膜形成装置にする(図1、図2)。薄膜は、例えばポリカーボネート、ポリエーテルイミド等の基板上に形成されたシラザン構造又はシロキサン構造からなるケイ素化合物から成る膜であることが好ましく、導入された雰囲気ガスに紫外光線を照射することにより、かつ薄膜を200℃以下の特定温度を保持することによって、ケイ素化合物薄膜を酸化シリコン薄膜に変換する。かくして、可塑性等の基板の従来有する物理的性状を損なうことなく、現在汎用の薄膜トランジスタ半導体素子と同等の絶縁性能と高い信頼性を有する酸化シリコン薄膜を有する半導体素子を製造することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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