半導体差動増幅器

開放特許情報番号
L2008004269
開放特許情報登録日
2008/8/15
最新更新日
2018/1/8

基本情報

出願番号 特願2010-501909
出願日 2009/3/3
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2009/110455
公開日 2009/9/11
登録番号 特許第5083845号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体差動増幅器
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体差動増幅器
目的 広範囲にわたり閾値調整用バイアスを利用でき、入力電圧振幅を、電源電位から接地電位までに広げることができる半導体差動増幅器の提供。
効果 この技術半導体差動増幅器により、電源電位から接地電位まで全域で差動入力の受付が可能となる。仮に本来デバイスがオフとなる0Vに極めて近い入力同相分が入力されたとしても、入力同相分検出回路が適正に働らき、差動対入力トランジスタをオン状態とし、そのオン状態を第1のゲートから入力された差動分で変調させることにより、差動対を動作させることが可能となる。
技術概要
この技術では、半導体差動増幅器は、差動対本体を構成する2つの4端子フィン型FETのそれぞれの第1のゲートを差動対の入力とし、4端子フィン型FETのそれぞれの第2のゲートは互いに結合されるとともに、入力同相分に対して単調減少する信号が入力されるものとする。差動対本体を構成する同一導電型の第1及び第2の4端子フィン型FETと、第1及び第2の4端子フィン型FETと同一特性を有し、第1及び第2の4端子フィン型FETと同一の入力信号が入力される同一導電型の第3及び第4の4端子フィン型FETとを含み、第3及び第4の4端子フィン型FETのそれぞれのドレイン端子とそれぞれの第2のゲートは電流源に接続された同一ノードに結合されるとともに第1及び第2の4端子フィン型FETの両方の第2ゲートに接続されているものとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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