| 出願番号 |
特願2005-289874 |
| 出願日 |
2005/10/3 |
| 出願人 |
国立大学法人信州大学 |
| 公開番号 |
特開2007-103568 |
| 公開日 |
2007/4/19 |
| 登録番号 |
特許第4734635号 |
| 特許権者 |
国立大学法人信州大学 |
| 発明の名称 |
磁性薄膜の形成方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
ＦｅＰｔＭ（ＭはＣｕまたはＡｇ）規則合金薄膜 |
| 目的 |
簡単な製造工程によって形成できることから安価に提供することができ、磁気記録媒体に好適に利用することができる磁性薄膜の形成方法の提供。 |
| 効果 |
本技術によれば、磁性薄膜にきわめて微細構造の磁性粒子をドットアレイ状に形成することが可能となり、これによってきわめて高密度の情報を記録することができる磁性薄膜として提供することができる。 |
技術概要
 |
この技術は、Ｆｅ↓ｘＰｔ↓（１−ｘ）からなる磁性微小粒子が非磁性マトリックス中にドットアレイ状に形成された磁性薄膜の形成方法であり、Ｆｅと非磁性材からなるターゲットを用いたスパッタリングを施して、下地上に、非磁性材からなるマトリックス中にＦｅのドットアレイが形成した薄膜を成膜する。次に、薄膜にＰｔをスパッタリングし、ドットアレイに形成した各々のＦｅドットに選択的にＰｔを拡散させ、非磁性材からなるマトリックス中に、Ｆｅ↓ｘＰｔ↓（１−ｘ）からなるドットアレイが形成された磁性薄膜を形成する。又、ターゲットとして、ＦｅとＣｕからなるターゲットを使用し、Ｃｕのマトリックス中にＦｅのドットアレイが形成した薄膜を形成し、次いで、薄膜にＰｔをスパッタリングして、Ｃｕのマトリックス中に、Ｆｅ↓ｘＰｔ↓（１−ｘ）からなるドットアレイが形成した磁性薄膜を形成すること、また、ターゲットとして、ＦｅとＡｇからなるターゲットを使用し、Ａｇのマトリックス中にＦｅのドットアレイが形成した薄膜を形成し、次いで、薄膜にＰｔをスパッタリングして、Ａｇのマトリックス中に、Ｆｅ↓ｘＰｔ↓（１−ｘ）からなるドットアレイが形成された磁性薄膜を形成する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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