イメージセンサ

開放特許情報番号
L2008003650
開放特許情報登録日
2008/7/18
最新更新日
2012/12/20

基本情報

出願番号 特願2008-514377
出願日 2007/4/12
出願人 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
公開番号 WO2007/129451
公開日 2007/11/15
登録番号 特許第5119534号
特許権者 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
発明の名称 イメージセンサ
技術分野 情報・通信
機能 制御・ソフトウェア、検査・検出
適用製品 イメージセンサ
目的 同一の試料に対し蛍光等の光学計測による高分解能の二次元画像の取得と電気計測による高分解能の二次元画像の取得とを同時並行的に或いは時分割で以て行うことができる、こうした残留電荷を容易に除去することができ、バックグラウンドノイズを抑制することができる、さらにまた、LSI技術を利用することで従来の電気計測では困難であった高機能な計測を可能とするイメージセンサを提供する。
効果 各画素毎にそれぞれ光電変換とともに計測電極を配置できるため、光電変換部による電気信号に基づく光学的現象を捉えた二次元画像と計測電極による電気信号に基づく電気的現象を捉えた二次元画像とをともに高い空間分解能できる。また、両二次元画像を同時並行的に又は時分割で取得できる。これにより、例えば光学的情報と電気的情報とを適宜組み合わせて又は補い合うようにして測定対象物の観察・測定精度を大幅に向上できる。
技術概要
検体による光学情報を取得する光計測機能と、検体に直接接触して又は容量結合を介して検体による電気的情報を取得する電気計測機能と、を同一半導体基体上に搭載したイメージセンサは、a)半導体基体の表層に設けられた光計測機能のための光電変換部と、b)半導体基体の表層を被覆するように設けられ、少なくとも最上層が導電体層であって光電変換部への光の導入のための非遮光領域を有する複数層の遮光層と、c)遮光層の最上層の導電休層を利用して形成された電気計測機能のための計測電極とを備える。各画素セルにおいてフオトダイオード11の受光領域以外に光が入射することを妨げる、多層金属配線32による遮光層の中の最上層の金属配線層324を、検体に直接接触して電気信号を計測するための計測電極15として利用する。また、各画素セル内に、フォトダイオード11よる電気信号を読み出す回路のほかに、独立して或いは共用化して、計測電極15による電気信号を読み出すための回路を設ける。これにより、各画素セル毎に光計測用のフォトダイオード11と電気計測用の計測電極15とを設ける。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 イメージセンサでは、各画素セルにおいて光学計測用の第1読み出し回路と電気的計測用の第2読み出し回路とが独立して設けられ、列内に配置される複数の画素セルに共通の信号読み出し線を光計測用と電気計測用とで独立して設ける構成とすることにより、光学計測と電気計測とを同時に行うことができる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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