パターン形成体及びパターン形成方法

開放特許情報番号
L2008003605
開放特許情報登録日
2008/7/18
最新更新日
2009/8/21

基本情報

出願番号 特願2005-323846
出願日 2005/11/8
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2007-133020
公開日 2007/5/31
登録番号 特許第4328862号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 パターン形成体及びパターン形成方法
技術分野 その他
機能 材料・素材の製造
適用製品 パターン形成体及びパターン形成方法
目的 明瞭なパターン形成が可能な新規なパターン形成体及びパターン形成方法を提供する。
効果 このパターン形成方法によれば、パターン形成体の表面に光照射したときに、その露光部と非露光部とでパターン形成体の表面の親水性と疎水性とがドラスティックに変化するため、パターン形成体の表面に疎水性物質又は親水性物質を吸着又は脱着させたときに明瞭なパターンを形成することができる。
技術概要
 
パターン形成体は、光照射したときの露光部と非露光部との水濡れ性の相違を利用してパターン形成可能なパターン形成体であって、ハイドロゲルと、光照射によって会合状態が変化するか又は架橋形成状態が変化する疎水性の光応答性物質を前記ハイドロゲルの表面に化学結合させてなる表面修飾部と、を備え、表面修飾部は、水と接触させた状態では、疎水性の光応答性物質が互いに弱く会合しているとき又は架橋が形成されていないときにハイドロゲルによって覆われて親水性となり、疎水性の光応答性物質が互いに強く会合しているとき又は架橋が形成されているときに疎水性の光応答性物質に覆われて疎水性となる。ここで、ハイドロゲルは、水や水/水溶性有機溶媒などの水系の溶媒を分散媒とするゲルであればゲルの種類、架橋基の構造など特に限定されるものではなく、天然ゲルと合成ゲルとのどちらであってもよいし、物理ゲルと化学ゲルとのどちらであってもよい。このハイドロゲルは、その表面で光応答性物質を化学結合させるため、ハイドロゲル中にヒドロキシル基、アミノ基又はカルボキシル基を有しているものが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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