Auメッキ方法及びAuメッキによるAu回路の製造方法

開放特許情報番号
L2008003583
開放特許情報登録日
2008/7/18
最新更新日
2008/7/18

基本情報

出願番号 特願2006-061494
出願日 2006/3/7
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2007-239003
公開日 2007/9/20
発明の名称 Auメッキ方法及びAuメッキによるAu回路の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、高密度集積回路の素子デバイス、透明で高い屈折率を有する光学系材料等の分野で広く利用される。
目的 Si基材上に均一にAuメッキ層を形成することのできる新規なAuメッキ方法及びこの方法を利用してSi基材上にナノメータレベルの連続した金メッキ細線を形成するAu回路の製造方法を提供する。
効果 接着層として機能するC−S−Au膜を介して、Si基材にAuメッキ層を確実に結合させることができ、均一なAuメッキ層の形成が可能になる。
技術概要
Si基材1上に、C、S及びAuを含み半導電性を有するC−S−Au膜よりなる下地層3を形成し、電気メッキによるAuメッキを施して下地層3上にAuメッキ層2を形成することにより、Si基材1上にAuメッキ層2を形成する。尚、Si基材1上に、C、S及びAuを含み半導電性を有するC−S−Au膜よりなる下地層3を形成し、下地層3上にレジスト膜を部分的に形成して、レジスト膜以外の部分にC−S−Au膜が表出したC−S−Au膜表出部を所定パターンで形成し、C−S−Au膜表出部上に電気メッキによるAuメッキを施してAuメッキ層2を形成し、レジスト膜を除去し、Si基材1の表面を酸化処理して、Auメッキ層2をSi基材1から絶縁することにより、Auメッキ層2よりなるAu回路をSi基材1上に所定パターンで形成するAuメッキによるAu回路を製造する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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