スピン偏極電子発生装置

開放特許情報番号
L2008003580
開放特許情報登録日
2008/7/18
最新更新日
2008/7/18

基本情報

出願番号 特願2006-084303
出願日 2006/3/24
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2007-258119
公開日 2007/10/4
発明の名称 スピン偏極電子発生装置
技術分野 電気・電子、金属材料、無機材料
機能 制御・ソフトウェア、検査・検出、機械・部品の製造
適用製品 高エネルギー素粒子の実験分野、次世代型電子線加速器、物質表面のナノサイズ磁区構造を探査する装置等として広く利用される。
目的 高い電流密度のスピン偏極電子線が得られるスピン偏極電子発生装置を提供する。
効果 励起光入射装置の収束レンズとスピン偏極電子発生素子との間の距離を大幅に短縮できるので、スピン偏極電子発生素子に収束される励起光のスポット径を格段に小さくでき、高い量子効率を得ることができる。
技術概要
基板の一面において結晶成長させられた格子定数が互いに相違し且つ互いに隣接する少なくとも一対の第1半導体層及び第2半導体層が成長させられることにより構成されて価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層を備えたスピン偏極電子発生素子22と、スピン偏極電子発生素子22の半導体光電層に励起光を入射させる励起光入射装置とを含み、半導体光電層に励起光が収束されることによって半導体光電層からスピン方向が偏在しているスピン偏極電子を発生させる形式のスピン偏極電子発生装置10であって、励起光入射装置は、スピン偏極電子発生素子22の基板側から半導体光電層に励起光を収束させるものである。尚、基板はGaPから構成され、スピン偏極電子発生素子22は、GaP基板型スピン偏極電子発生素子を構成する。更に、スピン偏極電子発生素子22は、ピンホール型スピン偏極電子発生素子を構成する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT