自己組織化単分子膜の作製方法
- 開放特許情報番号
- L2008003570
- 開放特許情報登録日
- 2008/7/18
- 最新更新日
- 2020/10/21
基本情報
出願番号 | 特願2006-218265 |
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出願日 | 2006/8/10 |
出願人 | 国立大学法人名古屋大学 |
公開番号 | |
公開日 | 2008/2/21 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立大学法人東海国立大学機構 |
発明の名称 | 自己組織化単分子膜の作製方法および作製装置 |
技術分野 | 化学・薬品、有機材料 |
機能 | 材料・素材の製造 |
適用製品 | 高品質の自己組織化単分子膜を作製するシステム |
目的 | 自己組織膜形成材料を化学蒸着する、気相法によって高品質の自己組織化単分子膜を作製する方法を提供する。 |
効果 | 自己組織化単分子膜形成材料を、気相法によって効率よく利用することができ、液相法に比べて廃液量を低減し得るので環境への負荷が少ない、より高品質の単分子膜を得る事が出来る、等の利点を有する。 |
技術概要![]() |
基材に自己組織化単分子膜(SAM)形成材料を化学蒸着することによって、その基材上に自己組織化単分子膜を作製するにあたり、基材の温度を雰囲気温度よりも低い温度(例えば、60℃以上低い温度)に維持して冷却しつつ化学蒸着を行い、SAMを得る。SAM形成材料は、ハロシラン(トリクロロシラン等)を使用し、基材は、シリコン基板などとし、SAM作製の前に、酸素を含む雰囲気下で基材表面に真空紫外光を照射して基材表面に水酸基を導入する処理をするのが好ましい。基材は、他にガラス、金属(例えば、銅、アルミニウム、ゲルマニウム等)、ポリマー材料(例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等)とする事が出来、SAMが形成される表面部分はシリコンとするのが好ましい。SAM形成材料を蒸気として基材の表面に導き、SAMを形成させ、その形成面を微小角入射X線回折法により分析してSAMの配向性を評価する事が出来る。分子配置が規則的な配向性を有するSAMは、格子間距離(間隔d)に対応する横軸の波数ベクトルqにピークを認める事が出来、規則的な配向性を有するSAMの形成を確認することができる。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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