リン架橋スチルベン及びその製法
- 開放特許情報番号
- L2008003567
- 開放特許情報登録日
- 2008/7/18
- 最新更新日
- 2020/10/21
基本情報
| 出願番号 | 特願2006-237746 |
|---|---|
| 出願日 | 2006/9/1 |
| 出願人 | 国立大学法人名古屋大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2008/3/13 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人東海国立大学機構 |
| 発明の名称 | リン架橋スチルベン及びその製法 |
| 技術分野 | 電気・電子、有機材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | リン架橋スチルベン |
| 目的 | リン架橋スチルベンを、高い収率で得ることの出来る方法を提供する。 |
| 効果 | リン架橋スチルベンを、高い収率で得ることができる。 |
技術概要) |
式３で表されるアセチレン化合物の２，２’位へ脱離基を持つホスフィノ基を導入して、式４で表されるビスホスフィノ化合物とさせる。次いで、式４で表されるビスホスフィノ化合物の分子内二重環化反応により式５で表されるリン架橋スチルベンを得る。ここで、式３〜式５中、Ｒ↑１〜Ｒ↑８は、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基等、Ｘ↑１、Ｘ↑２及びＸ↑３、Ｘ↑４は、脱離基、Ｒ↑９及びＲ↑１↑０は、水素原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基等とする。得られるリン架橋スチルベンは、炭素架橋スチルベンに比べて、（ａ）固体状態での発光効率が高い、（ｂ）発光極大波長が長波長シフトする、（ｃ）ストークスシフト（吸収波長と発光波長との差）が大きな値を示すなどの効果のうち少なくとも一つを得る事が出来る。 |
| イメージ図 | |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
)
登録者情報
| 登録者名称 | |
|---|---|
その他の情報
| 関連特許 |
|
|---|