マイクロ流体チップの精密溶着方法

開放特許情報番号
L2008003527
開放特許情報登録日
2008/7/11
最新更新日
2009/12/4

基本情報

出願番号 特願2006-312841
出願日 2006/11/20
出願人 国立大学法人電気通信大学
公開番号 特開2008-126472
公開日 2008/6/5
発明の名称 マイクロ流体チップの精密溶着方法
技術分野 電気・電子
機能 加熱・冷却
適用製品 化学・生化学分野、マイクロ流体チップ上に集積化したマイクロトータル分析システム
目的 表面や内部微細構造での焼損が無く高い形状保持性が維持された光学的計測に対応し得るマイクロ流体チップを高速で製造する方法の提供。
効果 本技術によれば、ヒートシンクを採用しているので、赤外線吸収により樹脂表層で生じた熱エネルギーがヒートシンク側に急速に拡散され、樹脂表層の過熱が回避される結果、熱変形や焼損のリスクが低減する。樹脂内部には赤外線照射エネルギーが到達して、樹脂内部の温度が上昇し、短時間で良好な溶着が得られる。
技術概要
この技術では、基板の上面には微小サイズ(マイクロメートル級)の溝がホットエンボスなどにより形成する。この蓋と基板とを密着状態にしてプレス装置内にセットするのであるが、装置は上型と下型と上型の上面に配置するマスキングとから構成されている。上型は例えばサファイア、シリカ、マグネシア、シリコン、ゲルマニウム、ジンクセレナイドおよび硫化亜鉛などから形成されている。透明であることが必要とされるが、全体的に透明であっても、少なくとも蓋と基板とに対応する部分が透明なものであってもよい。下型の材料は特定されないが、その上面には蓋と基板との組合せと密着嵌合する空所(溝)が形成されている。溶着処理に際しては、蓋と基板とを密着させた状態で、下型の空所内に密着嵌合させて、その上に上型を配置し、上型の上にマスキングを配置して型締めする。この状態で上型側から赤外線を所定時間照射する。その後10secほど放置して冷却させたのちに、溶着した製品をプレス装置から取り出す。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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