量子半導体デバイスおよびその製造方法

開放特許情報番号
L2008003518
開放特許情報登録日
2008/7/11
最新更新日
2009/10/23

基本情報

出願番号 特願2006-238045
出願日 2006/9/1
出願人 国立大学法人電気通信大学
公開番号 特開2008-060475
公開日 2008/3/13
発明の名称 量子半導体デバイスおよびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 量子ドット、光電子デバイス
目的 高い均一性と発光特性を実現する量子ドットの近接積層体の提供。
効果 本技術によれば、幅方向と高さ方向の双方で高度に均一な量子ドット層を近接積層することができる。この結果、きわめて狭い発光スペクトラムを、再現性良く実現できる。
技術概要
この技術では、第1のInAs量子ドット上に、GaAsスペーサ層を10nm成長する。成長条件は、基板温度450℃、As圧力3×10↑(−7)Torrである。その後、As圧力下で、500℃で5分間アニール処理する。このアニール処理により、GaAsスペーサ層15の表面に、直径約27nm、深さ約2nmのGaAsナノホールが自己形成される。次に、第1のInAs量子ドットと同じ成長条件で、第2のInAs層を形成し、S−Kモードで第2のInAs量子ドットを成長する。第2のInAsカバレッジは3.4MLである。第2のInAs量子ドットは、GaAsナノホール内に自己整合的に成長し、第1のInAs量子ドットとの積層方向での整合性が非常によい。なお、第2のInAs量子ドットを形成した時点で、GaAsバッファ層からの高さが約18nmであり、従来の積層方法で6〜7層の成長を繰り返すことで達成された高さを、わずか2層の積層で実現可能になる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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