研削装置及び半導体ウェーハの研削方法

開放特許情報番号
L2008003339
開放特許情報登録日
2008/6/20
最新更新日
2008/6/20

基本情報

出願番号 特願2002-268173
出願日 2002/9/13
出願人 株式会社ディスコ
公開番号 特開2004-111434
公開日 2004/4/8
登録番号 特許第4007886号
特許権者 株式会社ディスコ
発明の名称 研削装置及び半導体ウェーハの研削方法
技術分野 機械・加工、無機材料
機能 表面処理
適用製品 研削装置及び半導体ウェーハ
目的 半導体ウェーハを研削して剛性が低下するほどの厚さに形成する場合において、後に搬送等に支障が生じないようにすると共に、半導体ウェーハの仕上がり厚さを均一にする。
効果 半導体ウェーハが固定される支持基板の厚さを個別に予め認識し、その支持基板の厚さ及び半導体ウェーハの所望の仕上がり厚さに基づいて研削手段を制御して研削を行うようにしたため、支持基板の厚さにバラツキがあっても、半導体ウェーハを一定の厚さに形成することができ、厚さが100μm以下のように薄い半導体ウェーハの品質の均一化を図ることができる。
技術概要
支持基板に固定された半導体ウェーハを研削して所望の厚さに形成する研削装置である。相互に厚さバラツキのある支持基板に夫々固定された半導体ウェーハを保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された半導体ウェーハを研削する研削手段と、支持基板の厚さを認識する厚さ認識手段と、半導体ウェーハの所望の仕上がり厚さを予め記憶する記憶手段と、厚さ認識手段によって認識された支持基板の厚さと記憶手段に記憶された半導体ウェーハの所望の仕上がり厚さとを加算して加算値を求める加算手段と、半導体ウェーハの研削後の厚さと支持基板の厚さとの合計値が該加算手段によって算出された加算値と等しくなるように研削手段を研削送りする制御手段とから構成される。支持基板に半導体ウェーハを固定し、半導体ウェーハを研削する前に厚さ認識手段15が支持基板の厚さを認識し、認識した支持基板の厚さに基づいて制御手段42が研削条件を求め、その研削条件に基づいて制御手段42が研削手段19、31を制御して半導体ウェーハの研削を行うことにより、支持基板の厚さにバラツキがあっても、半導体ウェーハの厚さを高精度に均一に仕上げることができる。図は、研削装置の斜視図である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 株式会社ディスコ

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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