高解像度パターン転写方法

開放特許情報番号
L2008002927
開放特許情報登録日
2008/6/13
最新更新日
2008/6/13

基本情報

出願番号 特願2006-543078
出願日 2005/10/14
出願人 国立大学法人東京工業大学
公開番号 WO2006/046475
公開日 2006/5/4
登録番号 特許第3950981号
特許権者 国立大学法人東京工業大学
発明の名称 高解像度パターン転写方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 LSI、回路パターン、半導体ウェハー、マイクロリソグラフィー技術、マスクパターン転写方法、高解像度パターン転写方法、液晶ディスプレイパネル
目的 フォトレジストを用いたマイクロリソグラフィーにおいて、重ね合わせの影響を受けずに解像度を高めるパターン転写方法の提供。
効果 回路パターンを複数のサブセットに分割して露光し、かつフォトレジスト層の上にフォトクロミック材料を塗布しているため、フォトレジストを利用しつつも光の持つ回折と重ね合わせの影響を受けず、高解像度のパターンの転写が可能となる。
技術概要
この技術では、ネガ型もしくはポジ型の感光性のフォトレジスト層を積層した基板に、露光により回路パターンの像を結像し、フォトレジスト層を感光させ、その後フォトレジスト層を現像することにより回路パターンを基板上のフォトレジスト層に形成するパターン転写方法において、露光前の段階でフォトレジスト層の表面にさらにフォトクロミック材料を塗布し、回路パターンを複数の像のサブセットに分割し、分割した最初のサブセットの像を基板に結像してフォトレジスト層を感光した後、照射した光と波長の異なる光の照射若しくは所定の温度までの加熱又は所定時間常温で放置してフォトクロミック材料の吸収率を初期状態に回復させた後に、分割した次のサブセットの像を基板に結像してフォトレジスト層を感光せしめる。これをすべてのサブセットについて繰り返して行い、回路パターンを基板上のフォトレジスト層に形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT