光電界効果トランジスタ,及びその製造方法

開放特許情報番号
L2008002753
開放特許情報登録日
2008/6/6
最新更新日
2015/10/30

基本情報

出願番号 特願2009-511694
出願日 2009/2/17
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2009/107568
公開日 2009/9/3
登録番号 特許第5004107号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光電界効果トランジスタ,及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 光電界効果トランジスタ、光FET
目的 電界効果トランジスタ部とフォトダイオード部のそれぞれに最適な設計や独立のバイアス印加をなし得る光電界効果トランジスタの提供。
効果 この技術の光電界効果トランジスタ(光FET)は、フォトダイオードの出力をモノリシックに形成されたFETに配線なしに接続したのと等価な構造が得られる。FET部の利得は、FETチャネル内の正孔寿命を電子の走行時間で除した1万〜10万倍となる。すなわち、FET部の利得は、正孔と電子の物性定数により決定されるため、安定性が良く、チャネル層のドーピングを低く設定することにより、極微弱光から数桁の光量変化に対して外部検出回路の変更なしに増幅することができる。
技術概要
この技術では、光電界効果トランジスタは、基本的な構造として、フォトダイオード部のカソードを構成するカソード半導体層の上に形成され、フォトダイオード部の光吸収層となる半導体層と;光吸収層の上に形成され、光吸収層より広いバンドギャップの半導体層であってフォトダイオード部のアノード層ともなる電子バリア層と;電子バリア層の上に形成され、電子バリア層より狭いバンドギャップの半導体であってFET部のチャネル領域を構成するチャネル層と;チャネル層の上に形成され、チャネル層を構成する半導体より広いバンドギャップの半導体から成る正孔バリア層と;正孔バリア層の上に形成され、互いに離間したソース電極及びドレイン電極と;を少なくとも有して成る。そして、光の照射により光吸収層から電子バリア層を介してチャネル層に注入された正孔は正孔バリア層によりチャネル層中に閉じ込められ、またチャネル層中の電子も電子バリア層によりチャネル層中に閉じ込められるものとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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