酸化物ぺロブスカイト薄膜EL素子

開放特許情報番号
L2008002742
開放特許情報登録日
2008/6/6
最新更新日
2018/1/8

基本情報

出願番号 特願2009-554320
出願日 2009/2/17
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2009/104595
公開日 2009/8/27
登録番号 特許第5093694号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 酸化物ぺロブスカイト薄膜EL素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 酸化物ペロブスカイト薄膜EL素子
目的 基本構造として、下部電極上に、酸化物ペロブスカイト薄膜からなるホール輸送層/発光層/電子輸送層を作製し、その上に上部電極が作製された酸化物ペロブスカイト薄膜EL素子の提供。
効果 この技術の薄膜による酸化物ペロブスカイト薄膜EL素子は、結晶性の優れた絶縁体からなる電子輸送層およびホール輸送層および発光体薄膜から構成され、このため誘電率の大きな値を有する絶縁体薄膜が実現される。これによって効率的に発光層に電界が印加され、低電圧駆動が可能となる。これによって駆動電源回路システムの小型化が実現され、薄型パネルによる表示装置の小型化が促進される。
技術概要
この技術では、単結晶研磨基板からなる下部電極と、下部電極上に成膜された誘電体である酸化物ペロブスカイト薄膜からなる電子輸送層と、電子輸送層上に成膜された酸化物ペロブスカイト薄膜からなる発光層と、発光層上に成膜された誘電体である酸化物ペロブスカイト薄膜からなるホール輸送層と、ホール輸送層上に成膜されたバッファー層と、バッファー層上に成膜された透明な上部電極とからなる酸化物ペロブスカイト薄膜EL素子を提供する。また、単結晶研磨基板からなる下部電極と、下部電極上に成膜された誘電体である酸化物ペロブスカイト薄膜からなる第1の輸送層と、その上に成膜された酸化物ペロブスカイト薄膜からなる第1の発光層と、その上に成膜された誘電体である酸化物ペロブスカイト薄膜からなる第2の輸送層と、その上に成膜された第1の輸送層上に成膜された酸化物ペロブスカイト薄膜からなる第2の発光層と、その上に成膜された誘電体である酸化物ペロブスカイト薄膜からなる第3の輸送層と、その上に成膜されたバッファー層と、バッファー層上に成膜された透明な上部電極とからなるものとしてもよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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