| 出願番号 |
特願2008-033160 |
| 出願日 |
2008/2/14 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2009-189952 |
| 公開日 |
2009/8/27 |
| 登録番号 |
特許第4868417号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
半導体光触媒 |
| 技術分野 |
化学・薬品、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造、環境・リサイクル対策 |
| 適用製品 |
半導体光触媒 |
| 目的 |
光吸収効率が著しく増大すると共にその光触媒活性が向上し、しかも簡便に大量に調製することが可能な工業的に極めて有利な半導体光触媒を提供する。 |
| 効果 |
この半導体光触媒は、従来のものに比べ光吸収効率が著しく向上し、その触媒活性に優れたものであり、またその調製法も極めて簡便なものである。したがって、光触媒としての活性も飛躍的に増大することから、環境汚染物質を分解・除去するための光触媒反応や水分解エネルギー変換のための触媒等として応用することができる。 |
技術概要
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少なくとも光を閉じこめる二次構造を有する半導体光触媒であって、二次構造は、半導体光触媒前駆体溶液の過酸化物の存在下での加熱酸化分解により形成されたものであり、その二次構造が保持されている可視光応答性の半導体光触媒である。また、半導体光触媒では、この過酸化物が過酸化水素であり、また、半導体光触媒がチタン、タングステン、ビスマス、モリブデン、ニッケル、バナジウム、鉄及びインジウムから選ばれた少なくとも一つの元素を含む。また、この半導体光触媒の存在下で光を照射する、環境汚染物質の浄化方法である。図１に光閉じこめを効果的に行う二次構造を有するＷＯ↓３半導体の調製法を示す。図１に示されるように、Ｈ↓２ＷＯ↓４またはタングステンメタルをＨ↓２Ｏ↓２水溶液に溶解させると無色透明溶液になる。これをホットスターラー上で熟成させると透明黄色溶液に変色する。この溶液を蒸発乾固させると濃いオレンジ色のタングステン過酸化物になる。この過酸化物を焼成すると、光閉じこめを効果的に行う二次構造を有する酸化タングステンになる。図２に光閉じこめを効果的に行う二次構造を有するＮドープＴｉＯ↓２半導体の調製法を示す。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
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| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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